[發明專利]微波動力光源

有效

• 申請號: 200880103079.3
• 申請日: 2008-11-14
• 公開（公告）號: CN101790773A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: A·S·尼特
• 申請（專利權）人: 塞拉維申有限公司
• 主分類號: H01J65/04
• 分類號: H01J65/04
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.以微波能量為動力的光源，該源包括：

·其中具有密封中空的體；

·包圍該體的微波封閉的法拉第罩，

·法拉第罩中的該體是諧振波導，

·在所述中空中的可由微波能量激發的材料的填充物，用于在其中形 成發光等離子體，和

·布置在該體中的天線，用于將等離子體感應微波能量傳輸到填充物， 該天線具有：

·延伸到該體外部的連接，用于耦合到微波能量的源；

其中，

·該體是透明材料的固態等離子體坩堝，該透明材料適于光從中離開， 以及

·法拉第罩是至少部分透光的，以便光離開該等離子體坩堝， 該布置使得來自該中空中的等離子體的光能夠傳播通過該等離子體坩堝 并且經由該罩從該等離子體坩堝輻射出去。

2.權利要求1的光源，其中，所述等離子體坩堝是密封在一起的多 個片。

3.權利要求1的光源，其中，所述等離子體坩堝是同質的。

4.權利要求1的光源，其中，所述等離子體坩堝具有圓形橫截面并 且尺寸被定制成以半波在其中沿徑向延伸。

5.權利要求2的光源，其中，所述等離子體坩堝的輪廓被設計成在 特定方向上反射光。

6.權利要求5的光源，其中，所述等離子體坩堝的輪廓表面被金屬 化來提高反射。

7.權利要求6的光源，其中，該金屬化形成部分法拉第罩。

8.權利要求5的光源，包括補充反射器，其被定位成使光反射回來 穿過該等離子體坩堝。

9.權利要求1到5的任一個的光源，與單個反射器組合，以將從透 明坩堝發射的光以特定方向反射。

10.權利要求1到5的任一個的光源，其中，所述等離子體坩堝是固 態介電材料。

11.權利要求10的光源，其中，所述等離子體坩堝是石英的或者多 晶氧化鋁或者多晶釔鋁石榴石YAG或者氮化鋁或者單晶藍寶石。

12.權利要求1到8的任一個的光源，其中，所述法拉第罩是或者包 括導電、透明材料的薄層和/或導電金屬線網和/或者網狀金屬片和/或導電、 化學氣相沉積網。

13.權利要求12的光源，其中，所述導電金屬線網或者網狀金屬片 被熔入等離子體坩堝的材料中。

14.權利要求12的光源，其中，所述法拉第罩包括用于局部增加從 其穿過的光透射的至少一個孔。

15.權利要求14的光源，其中，該孔不大于所述坩堝內微波的自由 空間波長的十分之一。

16.權利要求1到8的任一個的光源，其中，所述天線延伸進入所述 等離子體中空，并具有抵抗填充物侵蝕的材料。

17.權利要求16的光源，其中，與等離子體坩堝內從一側或端處的 法拉第罩到另一側或端處的法拉第罩的距離相比，所述等離子體坩堝的壁 厚度較小。

18.權利要求17的光源，其中，所述天線是盤，其橫向于所述等離 子體坩堝的長度方向布置，并且所述連接是延伸通過等離子體坩堝的壁的 桿或者線。

19.權利要求1到8的任一個的光源，其中所述天線是延伸進入等離 子體坩堝內的凹入型件中的導電金屬的桿或者線，并且該連接是所述天線 桿或者線的整體延伸。

20.權利要求19的光源，其中，與所述等離子體坩堝內部從一側或 端處的法拉第罩到相對側或端處的法拉第罩的距離相比，所述中空較小， 并且所述凹入型件在所述中空的側邊或者與所述中空成一條直線。

21.權利要求1到8的任一個的光源，其中，所述透明等離子體坩堝 具有：

·具有臺階的鉆孔和從坩堝的中空延伸到坩堝的表面的反向鉆孔，和

·反向鉆孔中透明材料的插塞，該插塞密封到所述坩堝。