[發明專利]穿襯底互連件的形成方法

有效

• 申請號: 200880102877.4
• 申請日: 2008-07-16
• 公開（公告）號: CN101809725A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 戴維·普拉特;安迪·珀金斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/28
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種形成穿襯底互連件的方法，其循序地包括：

形成進入半導體襯底中的通路，所述通路延伸到所述襯底的半導電材料中；

涂施液體電介質，以相對于所述襯底的從中最初形成所述通路的一側至少為所述 通路的側壁的正視看來最外面的部分加襯里；

使所述通路內的所述液體電介質凝固；

在形成所述通路之后，將鈍化電介質沉積在所述襯底的所述側上并沉積到所述通 路內；

將所有所述鈍化電介質從所述通路內移除；以及

在所述通路內在所述凝固的電介質上形成導電材料，并用所述導電材料形成穿襯 底互連件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中旋涂液體電介質的所述涂施為旋涂方式。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂施用液體電介質為所述通路的所有側壁加 襯里。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂施用液體電介質完全覆蓋所述通路的基 底。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂施用液體電介質為所述通路的所有側壁加 襯里，且用液體電介質完全覆蓋所述通路的基底。

6.一種形成穿襯底互連件的方法，其循序地包括：

形成進入包括第一和第二主要側的半導體襯底的半導電材料中的通路，所述通路 從所述第一主要側形成到導電接合墊，所述導電接合墊被接納為更接近所述第二主 要側而非所述第一主要側；

涂施液體電介質，以相對于所述第一主要側至少為所述通路的側壁的正視看來最 外面的部分加襯里；

使所述通路內的所述液體電介質凝固；以及

在所述通路內在所述凝固電介質上形成導電材料，并用所述導電材料形成穿襯底 互連件。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述通路的所述形成終止于所述接合墊的后側 上。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一主要側是所述襯底的后側，且所述第二 主要側是所述襯底的前側。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一主要側是所述襯底的前側，且所述第二 主要側是所述襯底的后側。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述涂施是在多個單獨的液體電介質涂施步驟中 進行的。

11.一種形成穿襯底互連件的方法，其包括：

形成從半導體襯底的一側進入所述襯底的半導電材料中的通路；

涂施液體電介質，以至少為所述通路的側壁的正視看來最外面的部分加襯里；

使所述通路內的所述液體電介質凝固；

在使所述液體電介質凝固之后，在從中形成所述通路的所述襯底側上且至少部分 地在所述通路上形成鈍化電介質；

將所述鈍化電介質從所述通路上移除；以及

在所述通路內在所述凝固電介質上形成導電材料，且用所述導電材料形成穿襯底 互連件。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述移除包括在所述鈍化電介質上形成掩膜， 所述掩膜包括穿過其而到達所述通路且穿過其通過蝕刻將所述鈍化電介質從所述 通路上移除的開口。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述掩膜包括成分與所述鈍化電介質的成分相 同的材料。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述掩膜包括成分與所述鈍化電介質的成分不 同的材料。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述鈍化電介質的所述形成是在整個所述通路 上。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述鈍化電介質的所述形成不在所述通路內。

17.根據權利要求11所述的方法，其中所述鈍化電介質的所述形成到達所述通路內。