[發明專利]吲哚鎓化合物以及使用了該化合物的光學記錄材料

無效

• 申請號: 200880102630.2
• 申請日: 2008-09-26
• 公開（公告）號: CN101778905A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 矢野亨;青山洋平
• 申請（專利權）人: 株式會社艾迪科
• 主分類號: C09B23/00
• 分類號: C09B23/00;B41M5/26;C07D401/06;C07D403/06;C07D405/06;C07D409/06;C07D413/06;G11B7/244
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗;陳建全

技術領域

本發明涉及主要應用于光學記錄材料等的新型吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學記錄材料，具體而言，涉及利用激光等將信息加工成信息圖案來進行記錄的光學記錄介質中使用的光學記錄材料，更具體而言，涉及可以利用具有紫外以及可見區域的波長且低能量的激光等進行高密度的光學記錄和再生的光學記錄介質中使用的光學記錄材料。

背景技術

光學記錄介質一般具有記錄容量大、記錄或再生以非接觸的方式進行等優良的特征，因而廣泛普及。WORM、CD-R、DVD±R等追記型光盤是將激光聚集在記錄層的微小面積上，改變光學記錄層的性狀來進行記錄，并根據記錄部分與未記錄部分的反射光量的不同來進行再生。

在550nm～620nm的范圍內具有高強度吸收的化合物、特別是在550nm～620nm具有最大吸收(λmax)的化合物被用作形成DVD-R等光學記錄介質的光學記錄層的光學記錄材料。

作為上述光學記錄材料，具有吲哚環的吲哚鎓化合物由于具有靈敏度高、能應對記錄高速化的優點，所以報道的例子很多。例如，在專利文獻1～6中報道了苯乙烯基吲哚鎓化合物。另外，在專利文獻7中報道了在吲哚環的3位引入芐基而形成的低溫分解性的花青化合物，在專利文獻8中報道了在吲哚環的3位引入芐基而形成的吲哚鎓化合物。人們認為在低溫下分解的化合物易于形成光學記錄層的記錄部分(凹坑)，因此適合高速記錄介質。

但是，這些材料在耐熱性、耐光性和記錄特性方面還未取得令人滿意的性能。

專利文獻1：日本特開平11-34489號公報

專利文獻2：日本特開平11-170695號公報

專利文獻3：日本特開2001-342366號公報

專利文獻4：日本特開2002-206061號公報

專利文獻5：日本特開2003-313447號公報

專利文獻6：日本特開2003-321450號公報

專利文獻7：日本特開2003-231359號公報

專利文獻8：日本特開2006-150841號公報

發明內容

因此，本發明的目的在于提供耐熱性和耐光性高且顯示出適合高速光學記錄用途的熱分解行為的吲哚鎓化合物以及含有該吲哚鎓化合物而形成的光學記錄材料。

本發明人等經過反復研究，結果發現具有特定的陽離子結構的吲哚鎓化合物作為光學記錄材料顯示出良好的熱分解行為，從而完成了本發明。

本發明通過提供下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物來實現上述目的。

(式中，環A表示苯環或萘環，環B表示5元或6元的雜環，R¹表示下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基團，R²表示碳原子數為1～30的有機基團、下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基團，Y¹表示氫原子、碳原子數為1～10的烷基、碳原子數為6～20的芳基或碳原子數為7～20的芳基烷基，Z¹和Z²表示可以被鹵素基取代或者可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數為1～8的烷基、具有碳原子數為1～8的烴基的磺酰基、具有碳原子數為1～8的烴基的亞磺酰基、具有碳原子數為1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數為1～8的烷基的二烷基氨基、下述通式(III)表示的基團、氰基、硝基、羥基或鹵素基，多個Z2之間可以鍵合形成環結構，a表示0～6的整數，b表示0～5的整數，An^q-表示q價的陰離子，q表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數。)