[發明專利]改進的薄膜涂層、電光元件和包括這些元件的組件

有效

• 申請號: 200880101687.0
• 申請日: 2008-08-01
• 公開（公告）號: CN101784951A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: J·S·安德森;N·F·布魯梅爾;D·J·卡門加;G·J·多澤曼;J·A·福蓋特;H·A·魯特恩;G·A·紐曼;L·M·佩倫;B·G·坡;W·L·托納爾
• 申請（專利權）人: 金泰克斯公司
• 主分類號: G02F1/155
• 分類號: G02F1/155
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 鄒姍姍

1.一種光學元件，包括：

第一襯底；

淀積在所述第一襯底上的至少一個薄膜層；以及

鄰接由所述第一襯底和所述至少一個薄膜層中的任意兩個形成的邊界的界面材料，

其中，所述界面材料包括硫族化物、磷族元素和鹵素中的至少一個，所述界面材料不同于形成所述第一襯底和所述至少一個薄膜層的材料，并且，所述界面材料的厚度不超過10個原子層。

2.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述界面材料增強了所述至少一個薄膜層的粘附性、環境穩定性、導電性和成核特性中的至少一個。

3.根據權利要求1所述的光學元件，還包括：

第二襯底，其中，所述第一襯底和所述第二襯底協作以形成在所述第一襯底和所述第二襯底之間的腔；以及

位于所述腔內的電致變色介質。

4.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述界面材料包括硫和硒中的至少一個。

5.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述界面材料的厚度為一個原子單層。

6.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述界面材料的厚度不超過兩個原子層。

7.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述界面材料的厚度不超過5個原子層。

8.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述至少一個薄膜層包括以下中的至少一個：ITO、IZO、氧化鋅、AZO、TiO₂、W、Mo、Fe、Ni、Co、Rh、Ir、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Cr和Bi。

9.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述第一襯底由玻璃制成，并且所述至少一個薄膜層包括淀積在所述第一襯底上的TiO₂層、淀積在所述TiO₂層之上的ITO層以及淀積在所述ITO層上面的銀或銀合金層，并且其中，所述界面材料設置在所述ITO層與所述銀或銀合金層之間的邊界處。

10.根據權利要求9所述的光學元件，其中所述界面材料基本上設置在所述ITO層與所述銀或銀合金層之間的所述邊界的一側上。

11.根據權利要求1所述的光學元件，其中所述第一襯底由玻璃制成，并且所述至少一個薄膜層包括淀積在所述第一襯底上的Cr層和淀積在所述Cr層上面的銀或銀合金層，并且其中，所述界面材料設置在所述Cr層與所述銀或銀合金層之間的邊界處。

12.根據權利要求6所述的光學元件，其中，所述界面材料的層不是單片的。

13.一種用于制造光學元件的方法，該方法包括：

提供具有一個表面的第一基底；

對界面材料進行處置以用所述界面材料的原子替代形成所述表面的原子的一部分，從而增強覆蓋所述表面的材料的粘附性、環境穩定性、導電性和成核特性中的至少一個，其中所述界面材料包括硫族化物、磷族元素和鹵素中的至少一個；以及

用上薄膜層涂覆所述表面，

其中，所述界面材料不同于形成所述表面和所述上薄膜層的材料，并且

其中所述界面材料的厚度不超過10個原子層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述處置包括離子處理、等離子體處理、化學處理和物理氣相淀積中的至少一種。

15.根據權利要求13所述的方法，還包括：

放置第二基底，以在所述第一基底和所述第二基底之間形成腔；以及

在所述腔內布置電致變色介質。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述對界面材料進行處置包括處置硫和硒中的至少一個。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述界面材料的厚度為一個原子單層。

18.根據權利要求13所述的方法，其中所述界面材料的厚度不超過5個原子層。