[發明專利]光電轉換裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200880025511.1
• 申請日: 2008-12-05
• 公開（公告）號: CN101755340A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 鶴我薰典;山口賢剛;吳屋真之;坂井智嗣
• 申請（專利權）人: 三菱重工業株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種光電轉換裝置，具備層疊有p層、i層、n層的光電轉換層， 其中，所述p層為以晶體硅為主、以1％以上25％以下的原子濃度含 有氮原子且所述p層的結晶率為大于0且不足3的含氮層。

2.一種光電轉換裝置，具備層疊有p層、i層、n層的光電轉換層， 其中，所述n層為以晶體硅為主、以1％以上20％以下的原子濃度含 有氮原子且所述n層的結晶率為大于0且不足3的含氮層。

3.如權利要求1或2所述的光電轉換裝置，其中，所述i層為晶 體硅。

4.一種光電轉換裝置的制造方法，包括在基板上形成層疊有p層、 i層、n層的光電轉換層的工序，其中，

所述p層形成以晶體硅為主、以1％以上25％以下的原子濃度含 有氮原子且結晶率為大于0且不足3的含氮層。

5.一種光電轉換裝置的制造方法，包括在基板上形成層疊有p層、 i層、n層的光電轉換層的工序，其中，

所述n層形成以晶體硅為主、以1％以上20％以下的原子濃度含 有氮原子且結晶率為大于0且不足3的含氮層。

6.如權利要求4或5所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，以 30MHz以上100MHz以下的高頻頻率，通過高頻等離子CVD法形成所 述含氮層。