[發(fā)明專利]包括金屬核芯襯底的電路組件及其制備工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880024704.5
• 申請日: 2008-05-19
• 公開（公告）號: CN101743635A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·C·奧爾森;T·W·古德曼;彼得·埃勒紐斯
• 申請（專利權(quán)）人: PPG工業(yè)俄亥俄公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/13
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種用于電子器件封裝體的襯底，包括：

導(dǎo)電核芯，其被成形為限定用于接納電子器件的空腔；

在所述核芯的第一側(cè)上的第一絕緣層；和

與所述空腔內(nèi)的表面相鄰放置的第一接觸件。

2.如權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述第一接觸件位于所述空腔內(nèi)的所述第一絕緣層上。

3.如權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述第一接觸件與所述導(dǎo)電核芯電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述導(dǎo)電核芯包括如下中的一種或更多種：

未經(jīng)處理的或鍍鋅的鋼、鋁、金、鎳、銅、鎂或任何上述金屬的合金。

5.如權(quán)利要求1所述的襯底，其中，所述導(dǎo)電核芯包括：

金屬化的不導(dǎo)電材料。

6.如權(quán)利要求1所述的襯底，還包括：

在所述核芯的第二側(cè)上的第二絕緣層，其中，所述第一絕緣層和第二絕緣層共形地涂敷所述導(dǎo)電核芯。

7.如權(quán)利要求6所述的襯底，其中，所述第一絕緣層和第二絕緣層是使用電沉積而施加到所述導(dǎo)電核芯上的。

8.如權(quán)利要求6所述的襯底，還包括：

與所述第一層和第二層中的一個相鄰放置的第二核芯。

9.如權(quán)利要求1所述的襯底，還包括：

在所述核芯中的開口。

10.如權(quán)利要求1所述的襯底，還包括：

位于所述第一絕緣層上的電路層。

11.如權(quán)利要求1所述的襯底，還包括：

第一導(dǎo)體，其與所述第一接觸件電連接并且延伸到所述空腔的外部的位置。

12.如權(quán)利要求1所述的襯底，還包括：

電連接所述第一接觸件和所述核芯的通孔。

13.一種制作用于電子器件封裝體的襯底的方法，包括如下步驟：

提供導(dǎo)電核芯；

改變所述核芯的形狀以限定用于接納電子器件的空腔；

將第一絕緣層施加到所述核芯的第一側(cè)上；以及

形成與所述空腔內(nèi)的表面相鄰的第一接觸件。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一接觸件位于所述空腔內(nèi)的所述第一絕緣層上。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一接觸件與所述導(dǎo)電核芯電連接。

16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述導(dǎo)電核芯包括如下中的一種或更多種：

未經(jīng)處理的或鍍鋅的鋼、鋁、金、鎳、銅、鎂或任何上述金屬的合金。

17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述導(dǎo)電核芯包括：

金屬化的不導(dǎo)電材料。

18.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括如下步驟：

將第二絕緣層施加到所述核芯的第二側(cè)上，其中，所述第一絕緣層和第二絕緣層共形地涂覆所述導(dǎo)電核芯。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，使用電沉積將所述第一絕緣層和第二絕緣層施加到所述導(dǎo)電核芯上。

20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述核芯是板的一部分，并且所述方法還包括如下步驟：

在所述板中形成與所述核芯的邊緣相鄰的槽；以及

將所述核芯與所述板分開。

21.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，使用沖壓、軋制和刻蝕工藝中的一種或更多種來改變所述核芯的形狀。