[發明專利]燒結硅晶片有效
| 申請號： | 200880023643.0 | 申請日： | 2008-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN101687709A | 公開（公告）日： | 2010-03-31 |
| 發明（設計）人： | 鈴木了;高村博 | 申請（專利權）人： | 日礦金屬株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/00 | 分類號： | C04B35/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 樊衛民;郭國清 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 晶片 | ||
【權利要求書】：
1.一種燒結硅晶片，其特征在于，最大結晶粒徑為20μm以下， 平均結晶粒徑為1μm以上、10μm以下。
2.如權利要求1所述的燒結硅晶片，其特征在于，將晶片表面劃 分為任意的多個區域并測定各個區域的平均粒徑時，每個區域的平均 粒徑的偏差為±5μm以下。
3.如權利要求1或2所述的燒結硅晶片，其特征在于，直徑為 400mm以上，并且從該燒結硅晶片選取多個試驗樣品進行測定時具有 下述(1)～(3)的機械特性，
(1)通過三點彎曲法測得的抗彎強度的平均值為20kgf/mm2以上、 50kgf/mm2以下；
(2)拉伸強度的平均值為5kgf/mm2以上、20kgf/mm2以下；
(3)維氏硬度的平均值為Hv800以上、Hv1200以下。
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