[發(fā)明專(zhuān)利]制備高純度二氧化硅顆粒的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880023455.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101688068A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·舒馬赫;C·舒爾策-伊斯福特 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C09C1/30 | 分類(lèi)號(hào): | C09C1/30;C03C3/06;C01B33/18;C03C12/00 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 于 輝 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 純度 二氧化硅 顆粒 方法 | ||
1.制備二氧化硅顆粒的方法,該二氧化硅顆粒的比表面積小于1m2/g,并且雜質(zhì)比例小于50ppm,其中
a)使用裝填密度為15至190g/l的二氧化硅粉末,
b)將所述二氧化硅粉末壓實(shí)為結(jié)塊,隨后將所述結(jié)塊壓碎,結(jié)塊碎片的裝填密度為210至800g/l,并且
c)用一種或多種反應(yīng)性化合物在400至1100℃下處理所述結(jié)塊碎片。
2.如權(quán)利要求1的方法,其特征在于所用的二氧化硅粉末為摻雜的二氧化硅粉末或硅的混合氧化物粉末。
3.如權(quán)利要求2的方法,其特征在于作為摻雜劑組份的摻雜的二氧化硅粉末或作為混合氧化物組份的所述硅的混合氧化物粉末包含氧化物,該氧化物選自Ag、Al、B、Ce、Cs、Er、Ga、Ge、Li、K、Na、P、Pb、Ti、Ta、Tl及Zr的氧化物。
4.如權(quán)利要求2或3的方法,其特征在于摻雜10ppm至50重量%的二氧化硅粉末或硅的混合氧化物粉末。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的方法,其特征在于所述二氧化硅粉末是熱解的二氧化硅粉末。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)的方法,其特征在于所述二氧化硅粉末的裝填密度為30至150g/l。
7.如權(quán)利要求5或6的方法,其特征在于所述結(jié)塊碎片的裝填密度為300至650g/l。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)的方法,其特征在于將所述結(jié)塊碎片分級(jí)。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)的方法,其特征在于所述反應(yīng)性化合物以與空氣、氧氣、氦氣、氮?dú)狻鍤夂?或二氧化碳或氧氣的混合物的形式使用。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的方法,其特征在于在所述處理后將所述結(jié)塊碎片與所述反應(yīng)性化合物一起燒結(jié)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)獲得的二氧化硅顆粒。
12.如權(quán)利要求11的二氧化硅顆粒,其特征在于所述二氧化硅顆粒為二氧化硅玻璃顆粒。
13.如權(quán)利要求11或12的二氧化硅顆粒,其特征在于金屬雜質(zhì)的比例小于50ppm。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)的二氧化硅顆粒的用途,其用于制造具有非常低的膨脹系數(shù)的材料,用于光催化應(yīng)用、作為自凈式鏡子的超親水性成分、用于例如透鏡的光學(xué)零件、作為氣體和液體的密封劑、作為機(jī)械保護(hù)層、用于復(fù)合材料、作為催化劑及催化劑載體。
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