[發明專利]每一存取裝置具有多個存儲器單元的電阻式存儲器架構

有效

• 申請號: 200880022914.0
• 申請日: 2008-04-17
• 公開（公告）號: CN101689403A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 劉峻;邁克·瓦奧萊特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 沈錦華

1.一種電阻式存儲器結構，其包括：

存取裝置；

至少兩個電阻式存儲器單元，每一單元耦合到所述存取裝置并且由所述存取裝置 存取，并且每一單元耦合到單元選擇信號線且每一單元經配置以在經由所述線上的單 元選擇信號而被選擇時且在啟動所述存取裝置之后傳遞電流，其中所述存儲器單元各 自耦合到相應單元選擇信號線；及

至少兩個整流裝置，每一整流裝置與所述至少兩個存儲器單元中的相應存儲器單 元連接。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述整流裝置防止選定存儲器單元與未選 存儲器單元之間的并聯泄漏電流。

3.根據權利要求1所述的結構，其中所述整流裝置耦合于所述存儲器單元與所 述存取裝置之間。

4.根據權利要求3所述的結構，其中所述存儲器單元在所述存取裝置上面的單 個平面中。

5.根據權利要求3所述的結構，其中所述整流裝置至少部分地形成于所述存取 裝置內。

6.根據權利要求5所述的結構，其中所述整流裝置是p-n二極管。

7.根據權利要求5所述的結構，其中所述整流裝置是肖特基二極管。

8.根據權利要求3所述的結構，其中所述存儲器單元與來自其它鄰近存儲器結 構的存儲器單元成對地堆疊在一起。

9.根據權利要求8所述的結構，其中堆疊的存儲器單元對共享共用電極。

10.根據權利要求9所述的結構，其中所述堆疊存儲器單元對經由所述共用電極 耦合到所述單元選擇信號線。

11.根據權利要求8所述的結構，其中所述結構與所述其它鄰近存儲器結構組織 成交錯布置。

12.根據權利要求11所述的結構，其中所述其它鄰近存儲器結構被組織在包括 存取裝置的相應有源區上面。

13.根據權利要求8所述的結構，其中所述結構與所述其它鄰近存儲器結構組織 成并聯布置。

14.根據權利要求8所述的結構，其中所述其它鄰近存儲器結構被組織在包括共 享存取裝置的有源區上面。

15.根據權利要求1所述的結構，其中所述存儲器單元耦合于所述整流裝置與所 述存取裝置之間。

16.根據權利要求15所述的結構，其中所述存儲器單元各自耦合到相應單元選 擇信號線。

17.根據權利要求16所述的結構，其中每一存儲器單元與至少一個其它存儲器 單元共享整流裝置，且其中共享相同整流裝置的所述存儲器單元各自耦合到不同存取 裝置。

18.根據權利要求16所述的結構，其中所述存儲器單元與來自其它鄰近存儲器 結構的存儲器單元成對地堆疊在一起。

19.根據權利要求16所述的結構，其中四個存儲器單元共享相同的整流裝置。

20.根據權利要求19所述的結構，其中不同的存取裝置被組織成并聯布置。

21.根據權利要求1所述的結構，其中所述整流裝置是p-n結二極管或者肖特基 二極管。

22.根據權利要求1所述的結構，其中所述整流裝置形成于所述存取裝置內。

23.根據權利要求1所述的結構，其中所述存儲器單元相對于所述存取裝置且彼 此地垂直布置。

24.根據權利要求1所述的結構，其中所述存儲器單元在所述存取裝置上面的單 個平面中。

25.根據權利要求1所述的結構，其中所述存儲器單元是相變存儲器單元。