[發(fā)明專利]光學(xué)膜

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880022200.X
• 申請日: 2008-06-27
• 公開（公告）號: CN101720441A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尼古拉斯·西蒙·沃克
• 申請（專利權(quán)）人: 微尖科技有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B1/11
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王琦;王珍仙

1.一種納米結(jié)構(gòu)，包括多個納米脊，其中，每個所述納米脊的高度是調(diào)制的，由此沿每個所述納米脊的長度形成一個或多個峰(例如一系列峰)。

2.如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個所述納米脊的總高度和/或間距小于入射光(例如光學(xué)光)的半波長。

3.如權(quán)利要求1或2所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述納米脊相對于彼此大致相同取向。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述相鄰納米脊上的峰相互異相，優(yōu)選180度異相。

5.如權(quán)利要求4所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述峰形成大致六邊形的陣列。

6.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個所述峰的高度在所述納米脊的總高度的10％至90％的范圍內(nèi)。

7.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個所述納米脊的間距在100nm至300nm的范圍內(nèi)。

8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個所述納米脊的總高度在100nm至300nm的范圍內(nèi)。

9.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個所述峰的間距在180nm至280nm的范圍內(nèi)，且優(yōu)選231nm。

10.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，每個峰的高度在30nm至50nm的范圍內(nèi)。

11.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述納米脊包括疏水材料和/或用疏水材料涂覆。

12.如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)，所述納米結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出的水接觸角大于150°。

13.一種基板，包括如前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求13所述的基板，其中，所述納米結(jié)構(gòu)形成為透明聚合物或玻璃板上的表面層。

15.如權(quán)利要求14所述的基板，所述基板為光學(xué)膜。

16.一種如權(quán)利要求15所述的基板作為抗反射和/或自清潔膜的應(yīng)用。

17.一種如權(quán)利要求15或16所述的基板的應(yīng)用，用在適于捕獲并透射光的表面上，例如窗戶、太陽能聚集器或平坦太陽能電池組件上。

18.一種如權(quán)利要求13至16中任一項所述的基板在顯示器表面上的應(yīng)用。