[發明專利]固態存儲器中的粗略與精細編程

有效

• 申請號: 200880020400.1
• 申請日: 2008-06-04
• 公開（公告）號: CN101681295A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 弗朗姬·F·魯帕爾瓦爾;維沙爾·薩林;榮-盛·赫埃
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F12/00
• 分類號: G06F12/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 沈錦華

1.一種用于對包含存儲器單元陣列的固態存儲器中的第一存儲器單元進行編程 的方法，所述方法包含：

用初始編程電壓偏置所述第一存儲器單元，所述初始編程電壓響應于所述第一存 儲器單元中的待編程狀態及所述第一存儲器單元的沿所述存儲器單元陣列的字線的鄰 近存儲器單元中的相應待編程狀態而確定，其中，通過讀取所述第一存儲器單元在所述鄰 近存儲器單元的粗略編程之后的當前閾值電壓作為開始點來進行編程；及

用至少一個后續編程電壓偏置所述第一存儲器單元，直到所述第一存儲器單元到 達所述待編程狀態。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述初始編程電壓是第一組遞增電壓中的 一者且所述至少一個后續編程電壓是第二組遞增電壓中的一者。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一存儲器單元在所述初始編程電壓 之前在負閾值電壓處開始。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一存儲器單元在所述初始編程電壓 之后具有正閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述后續編程電壓中的每一者是大致相等 的。

6.一種固態存儲器裝置，其包含：

非易失性存儲器單元陣列，其具有耦合到位線的若干存儲器單元列及耦合到字線 的若干存儲器單元行；及

電路，其用于所述非易失性存儲器單元陣列的控制及存取，其中所述用于控制及 存取的電路適于通過用初始編程電壓偏置耦合到待編程的存儲器單元的每一字線來控 制對所述存儲器單元陣列的編程，所述初始編程電壓響應于所述存儲器單元中待編程 的狀態及所述存儲器單元的鄰近存儲器單元中的相應待編程狀態而確定，其中，通過 讀取所述第一存儲器單元在所述鄰近存儲器單元的粗略編程之后的當前閾值電壓作為開始點 來進行編程，且其中，所述用于控制及存取的電路進一步適于用至少一個后續編程電壓 偏置所述存儲器單元，直到所述存儲器單元到達所述待編程狀態，每一后續編程電壓 小于所述初始編程電壓。

7.根據權利要求6所述的固態存儲器裝置，其中所述用于控制及存取的電路進 一步適于從正被編程的所述存儲器單元中讀取模擬數據信號且產生指示所述所讀取模 擬數據信號的數字閾值電壓信號。

8.根據權利要求6所述的固態存儲器裝置，其中，用于所述非易失性存儲器單 元陣列的控制及存取的所述電路包含用以接收指示已編程存儲器狀態的數字數據信號 且將所述數字數據信號轉換為指示所述已編程存儲器狀態的閾值電壓的模擬數據信號 的電路。

9.根據權利要求6所述的固態存儲器裝置，其中所述非易失性存儲器單元陣列 被組織為NAND架構。