[發明專利]多靶濺射源及沉積多層的方法

有效

• 申請號: 200880020265.0
• 申請日: 2008-06-13
• 公開（公告）號: CN101720493A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: H·羅爾曼
• 申請（專利權）人: OC歐瑞康巴爾斯公司
• 主分類號: H01J37/34
• 分類號: H01J37/34;C23C14/35
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;李家麟

1.一種濺射源，包括：

第一靶布置(1a，1b)和第二靶布置(3a，3b)；

當從上方看時所述第二靶布置(3a，3b)放置在第一靶布置(1a，1b)周圍；

當從上方看時所述第一靶布置(1a，1b)包括由所述第二靶布置(3a，3b)的 內邊界區域圍繞并離所述第二靶布置(3a，3b)的內邊界區域一定距離的外邊 界區域；

所述第一靶布置(1a，1b)包括第一上部(1a)和第一下部(1b)，當從上方 看時所述第一上部(1a)沿著所述第一靶布置(1a，1b)的外邊界區域延伸并遠 離所述第一靶布置(1a，1b)的外邊界區域；

所述第一上部(1a)與所述第一下部(1b)分隔開，且所述第一上部和所 述第一下部(1a，1b)基本上沿著平行的平面布置；

所述第一上部(1a)在所述第一下部(1b)上方部分地突出；

所述第二靶布置(3a，3b)包括第二上部(3a)和第二下部(3b)，當從上方 看時所述第二上部(3a)沿著所述第二靶布置(3a，3b)的內邊界區域延伸并遠 離所述第二靶布置(3a，3b)的內邊界區域；

所述第二上部(3a)與所述第二下部(3b)隔開，且所述第二上部(3a) 和所述第二下部(3b)基本上沿著平行的平面布置；

所述第二上部(3a)在所述第二下部(3b)上方部分地突出；和

用于產生磁場的裝置，所述磁場產生裝置用于產生分別至少部分地位于所 述第一和第二靶布置之上的第一和第二磁場。

2.權利要求1中的濺射源，至少一個所述靶布置包括槽、孔或縫隙。

3.權利要求1中的濺射源，另外包括當從上面看時布置在所述第一(1a，1b) 和第二(3a，3b)靶布置之間的第三靶布置(2)。

4.權利要求1中的濺射源，所述磁場產生裝置用于分開產生分別至少部分 地位于所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置之上的第一和第二能夠獨立控 制的磁場。

5.權利要求4中的濺射源，所述磁場產生裝置包括被分配以產生所述能夠 獨立控制的磁場的分開的功率源。

6.權利要求3中的濺射源，所述磁場產生裝置產生至少部分地位于所述第 三(2)靶布置之上的第三能夠獨立控制的磁場。

7.權利要求1中的濺射源，所述第一和第二上部沿著共同上平面布置，所 述所述第一和第二下部(1b，3b)沿著共同下平面布置。

8.權利要求3中的濺射源，其中所述第一(1a)和第二(3a)上部沿著共 同上平面布置，所述所述第一(1b)和第二(3b)下部沿著共同下平面布置， 其中所述第三(2)靶布置沿著所述共同下平面布置。

9.上述權利要求之一中的濺射源，所述靶布置具有環形的同心設計，其中 從上面看時所述第二靶布置(3a，3b)同心地布置在所述第一靶布置(1a，1b)周 圍。

10.上述權利要求1到8之一中的濺射源，所述靶布置相對于對稱軸線性 拉長。

11.權利要求3中的濺射源，所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置中 的至少一個包含呈現高飽和磁化強度的材料。

12.權利要求3中的濺射源，所述第一(1a，1b)和第二(3a，3b)靶布置中 的至少一個包含呈現高飽和磁化強度的材料，并且所述第三(2)靶布置包含呈 現低飽和磁化強度的材料。

13.權利要求1中的濺射源，所述第一(1a，1b)和所述第二(3a，3b)靶布 置中的至少一個包含呈現高飽和磁化強度的材料。

14.權利要求3中的濺射源，所述第一(1a，1b)和第三(2)靶布置中的 至少一個包含呈現高飽和磁化強度的材料。