[發(fā)明專利]深硅刻蝕上掩膜底切的最小化

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880020153.5
• 申請(qǐng)日: 2008-06-02
• 公開（公告）號(hào): CN101715604A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 塔瑪拉克·潘杜姆索波爾恩;帕特里克·鐘;杰基瀨戶;S.M·列扎·薩賈迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 上海華暉信康知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31244
• 代理人: 樊英如

1.一種在硅層中形成特征的方法，包含：

在該硅層上方形成具有多個(gè)掩膜開孔的掩膜；

在該掩膜上方沉積聚合物層，包含：

使包含C₄F₈的無(wú)氫沉積氣體流入，其中該沉積氣體 主要由C₄F₈組成；

從該沉積氣體形成等離子體；

用該等離子體沉積聚合物至少20秒；以及

在該至少20秒之后停止沉積該聚合物；

打開沉積的該聚合物層，包含：

使打開氣體流入；

從該打開氣體形成等離子體，其相對(duì)于該多個(gè)掩膜 開孔側(cè)面的沉積聚合物選擇性地除去該多個(gè)掩膜開孔下部的 沉積聚合物；以及

當(dāng)至少多個(gè)掩膜特征中的一些被打開時(shí)，停止該打 開；以及

透過(guò)該掩膜和沉積的聚合物層刻蝕該硅層，其中該沉積 聚合物被該刻蝕該硅層完全刻蝕掉。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕該硅層包含：

使刻蝕氣體流入；以及

從該刻蝕氣體形成等離子體，其刻蝕該硅層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該打開氣體不同于該刻蝕氣 體。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中沉積該聚合物、打 開該沉積聚合物和刻蝕該硅層是在單一的等離子體處理室中 原地完成的。

5.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中該掩膜是光刻膠掩 膜。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中在該多個(gè)掩膜開孔的側(cè)面上該 沉積的聚合物至少為200nm厚。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中在該多個(gè)掩膜開孔的側(cè)面上的 至少200nm厚的該沉積的聚合物消除底切。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積該聚合物、打開該沉積聚 合物和刻蝕該硅層是在單一的等離子體處理室中原地完成的。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該掩膜是光刻膠掩膜。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該多個(gè)掩膜開孔的側(cè)面上沉 積的聚合物層至少為200nm厚。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在該多個(gè)掩膜開孔的側(cè)面上 的至少200nm厚的該沉積的聚合物消除底切。

12.一種在硅層中形成特征的方法，包含：

在該硅層上方形成具有多個(gè)掩膜開孔的掩膜；

將該硅層放入等離子體處理室中；

在該掩膜上方沉積聚合物層，包含：

使主要由C₄F₈組成的無(wú)氫沉積氣體流入該等離子體 處理室；

從該沉積氣體形成等離子體；

用該等離子體沉積聚合物至少20秒以形成至少 200nm厚的層；以及

在該至少20秒之后停止沉積該聚合物；

打開該沉積的聚合物層，包含：

使打開氣體流入該等離子體處理室；

從該打開氣體形成等離子體，其相對(duì)于該多個(gè)掩膜 開孔側(cè)面的沉積的聚合物選擇性地除去該多個(gè)掩膜開孔下部 的沉積的聚合物；以及

當(dāng)至少多個(gè)掩膜特征中的一些被打開時(shí)，停止該打 開；以及

透過(guò)該掩膜和沉積的聚合物層刻蝕該硅層，包含：

使不同于該打開氣體的刻蝕氣體流入；以及

從該刻蝕氣體形成等離子體，該等離子體刻蝕該硅 層，其中沉積的該聚合物層阻止光刻膠掩膜下的該硅層的底 切，其中該沉積聚合物被該刻蝕該硅層完全刻蝕掉；以及

從該等離子體處理室除去該硅層。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該掩膜是光刻膠掩膜。

14.如權(quán)利要求12-13中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包含在該等離 子體處理室中除去該光刻膠掩膜和該沉積的聚合物層。