[發明專利]半導體發光元件及其制造方法有效
| 申請號： | 200880019938.0 | 申請日： | 2008-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN101681970A | 公開（公告）日： | 2010-03-24 |
| 發明（設計）人： | 高尾將和;酒井光彥;中田俊次 | 申請（專利權）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 岳雪蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體發光元件，其特征在于，
由GaAs襯底結構和發光二極管結構構成，
所述GaAs襯底結構具有：
表面形成有多個溝槽部的GaAs層、
配置在所述GaAs層的所述表面、所述溝槽部的側壁及所述溝槽部的底面的第一金屬緩沖層、
配置于所述第一金屬緩沖層上的第一金屬層、
配置于所述GaAs層的背面的第二金屬緩沖層、
配置于所述第二金屬緩沖層的與所述GaAs層相反一側表面上的第三金屬層；
所述發光二極管結構配置于所述GaAs襯底結構上，其具有：
第二金屬層、
配置于所述第二金屬層上的金屬接觸層、
配置于所述金屬接觸層上的p型包層、
配置于所述p型包層的多量子阱層、
配置于所述多量子阱層上的n型包層、
配置于所述n型包層上的窗層；
使用配置在所述GaAs層的所述表面的所述第一金屬層及所述第二金屬層，將所述發光二極管結構與所述GaAs襯底結構粘合，并且在所述槽部的所述第一金屬層和所述第三金屬層之間存在氣隙。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，
所述GaAs層的導電型為p型。
3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，
所述GaAs層的導電型為n型。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，
利用預先配置在所述發光二極管結構側的所述第二金屬層，形成金屬反射層。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，
通過利用熱壓接技術將配置在所述GaAs層的所述表面的所述第一金屬層及所述第二金屬層粘合，使所述發光二極管結構與所述GaAs襯底結構粘合。
6.一種半導體發光元件，其特征在于，
由表面形成有多個溝槽部的GaAs襯底和發光二極管結構構成，
其中，所述發光二極管結構具有：
配置在所述GaAs襯底的所述表面、所述溝槽部的側壁及所述溝槽部的底面的第二金屬層，
配置于所述GaAs襯底的所述表面上的所述第二金屬層上且被構圖的金屬接觸層及絕緣層、
配置于被構圖的所述金屬接觸層和所述絕緣層上的p型包層(10)、
配置于所述p型包層上的多量子阱層、
配置于所述多量子阱層上的n型包層、
配置于所述n型包層上的窗層；
使用在所述GaAs襯底的所述表面上配置的所述第二金屬層，將所述發光二極管結構與所述GaAs襯底粘合，并且在所述溝槽部的所述第二金屬層和所述發光二極管結構之間存在氣隙。
7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，
還具有第三金屬緩沖層，其配置在所述第二金屬層上，位于所述第二金屬層與被構圖的所述金屬接觸層及所述絕緣層之間。
8.根據權利要求6或7所述的半導體發光元件，其特征在于，
通過利用熱壓接技術將所述GaAs襯底的所述表面上的所述第二金屬層與所述GaAs襯底粘合，將所述發光二極管結構與所述GaAs襯底結構粘合。
9.一種半導體發光元件，其特征在于，
由GaAs襯底結構和發光二極管結構構成，
所述GaAs襯底結構具有：
表面形成有多個溝槽部的GaAs襯底、
配置在所述GaAs襯底的所述表面、所述溝槽部的側壁及所述溝槽部的底面上的第一金屬層；
所述發光二極管結構配置于所述GaAs襯底結構上，其具有：
第二金屬層、
配置于所述第二金屬層上的p型包層、
配置于所述p型包層上的多量子阱層、
配置于所述多量子阱層上的n型包層、
配置于所述n型包層上的窗層；
使用所述GaAs襯底的所述表面上的所述第一金屬層及所述第二金屬層，將所述發光二極管結構與所述GaAs襯底粘合，并且，在所述溝槽部的所述第一金屬層和所述發光二極管結構之間存在氣隙。
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