[發明專利]用于利用光學各向異性納米粒中的松弛測量進行分子檢測的光學測量方法

有效

• 申請號: 200880019092.0
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101743475A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: H·布魯克爾;J·肖特;O·貝思格
• 申請（專利權）人: 奧地利科技研究所有限責任公司
• 主分類號: G01N33/543
• 分類號: G01N33/543;G01N21/17
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;徐予紅

1.一種用于借助于確定或測量分散或懸浮在流體介質中的納米 粒的松弛特性進行分子檢測的方法，目標分子、目標分子序列、目標 分子部分或目標有機體特異性或非特異性地連接到該納米粒上和/或 其表面上，

-其中，在分散或懸浮中的上述這樣設置的粒子通過外部刺激的 影響至少主要在空間方向上是可取向的，并且

-其中，在分散或懸浮中的上述粒子從首先隨機的、統計上無序 的、沒有方向性的狀態開始，轉變成最終至少主要統一定向的狀態， 或者反過來，

-以及在兩個狀態的每一個中和/或在這些狀態之間獲取分散或 懸浮的性能或特征，并且從這樣確定的松弛特性中推斷出與所述納米 粒結合的目標分子、目標分子序列、目標分子部分或目標有機體的濃 度和/或大小和/或特征，

其特征在于，

-懸浮或分散被應用于松弛特性確定，該懸浮或分散的納米粒除 了其幾何位置可取向性之外還具有光學各向異性，

-其中，粒子的光學各向異性起源于與長形的納米粒的長軸平行 和垂直的等離子體振蕩的兩個相互分離的諧振頻率，

-偏振的光或者不偏振的光入射到上述的懸浮或分散中，以及

-對于從懸浮或分散中直接在入射方向上在吸收中被接收的光， 或者與該入射方向成角度而作為散射光射出的光，或者通過激勵發射 的光，通過以下方式進行光學測定分析：

a)本身直接地進行光學測定分析，或在經過接在被光橫越的分散 或懸浮之后的偏振過濾器以后進行光學測定分析，和/或

b)只有在強制經過接在被光橫越的分散或懸浮之后的偏振過濾 器以后才進行光學測定分析。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述松弛特性是 指松弛時間。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部刺激是 定向的場。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述定向的場是 電場和/或磁場。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散或懸浮 的性能或特征是指所述兩個狀態之間的時間。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏振的光是 線性偏振的。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在光學測定分析中 作為被測參數應用由在分散或懸浮中的所述納米粒散射、發射或消除 的光的光學偏振和/或光譜。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在光學測定分析中 作為被測參數應用所述光的強度或強度改變。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對施加了與所述納 米粒連接的分子、分子序列、分子部分或有機物的納米粒有影響的刺 激或場在測量過程中在其振幅和/或方向方面進行改變，并且依賴于時 間、頻率或相位確定和記錄上述粒子的松弛，直到通過新改變的刺激 和/或場給出的均衡位置。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，分立地將對載有 所述目標分子的、在分散或懸浮中的納米粒有影響的刺激或場保持在 確定的值，或者將其周期地改變。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，其特征在于，

-在分散或懸浮中作為通過外部刺激可取向的納米粒應用半導 體納米晶或量子點和/或來自貴金屬的納米粒，其中，通過入射光激勵 帶有特征性的散射光譜和/或消光光譜的等離子體共振或者在該等離 子體共振中的改變。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述外部刺激是 指外部場，或所述貴金屬是指Au或Ag。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述半導體納米 晶或量子點是指帶有特征性的發射光譜和/或吸收光譜的CdSe納米晶 或ZnS納米晶。