[發(fā)明專利]接觸墊和形成用于集成電路的接觸墊的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880018722.2 | 申請日: | 2008-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN101681900A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張蕾蕾 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林克斯公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 許 靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接觸 形成 用于 集成電路 方法 | ||
1.一種集成電路的接觸墊,所述接觸墊包含:
平坦部分,其包含所述接觸墊的基座;
多個突出物,其從所述平坦部分延伸且垂直于所述平坦部分;以及
焊料球,其附接到所述多個突出物和所述平坦部分;
其中所述多個突出物的特定一個至少具有第一平臺和第二平臺,且所述第 一平臺是位于與所述第二平臺不同高度處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸墊,其中所述多個突出物是具有一系列高度 的多個突出物,其包含朝向在所述接觸墊的中央附近的較高突出物延伸的在所 述接觸墊的外端處的短突出物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸墊,其中所述多個突出物是具有一系列高度 的多個突出物,其包含朝向在所述接觸墊的中央附近的短突出物延伸的在所述 接觸墊的外端處的高突出物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸墊,其中在所述特定突出物上的平臺的數(shù)目 隨著所述特定突出物的高度而改變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸墊,其中所述多個突出物的每一個至少具有 所述第一平臺和所述第二平臺,且所述多個突出物的特定一個的高度是與所述 多個突出物的另一個的高度不同,且在所述多個突出物的特定一個上的平臺的 數(shù)目與在所述多個突出物的其他一個上的平臺的數(shù)目不同。
6.一種形成用于集成電路的接觸墊的方法,所述方法包含:
形成包含所述接觸墊的基座的平坦部分;
形成從所述平坦部分延伸且垂直于所述平坦部分的多個突出物;以及
將焊料球附接到所述多個突出物和所述平坦部分;
其中所述多個突出物的特定一個至少具有第一平臺和第二平臺,且所述第 一平臺是位于與所述第二平臺不同高度處。
7.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中形成多個突出物包含形成或蝕刻至少 一個金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中形成多個突出物包含形成從所述接觸 墊的外端附近的短突出物延伸到所述接觸墊的中央附近的高突出物的突出物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中形成多個突出物包含形成從所述接觸 墊的外端附近的高突出物延伸到所述接觸墊的中央附近的短突出物的突出物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中在所述特定突出物上的平臺的數(shù)目 隨著所述特定突出物的高度而改變。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林克斯公司,未經(jīng)吉林克斯公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880018722.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





