[發(fā)明專利]用于帶狀晶拉晶爐的可移除熱控制

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880018611.1
• 申請(qǐng)日: 2008-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101715496A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 理查德·華萊士;大衛(wèi)·哈維;黃衛(wèi)東;斯科特·賴特斯瑪;克里斯汀·理查森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)青太陽(yáng)能股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/14
• 分類號(hào): C30B15/14;C30B15/10
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 林月俊;安翔

1.一種帶狀晶拉晶爐，包括：

基座絕熱體；和

襯里絕熱體，所述襯里絕熱體以可移除方式連接到所述基座絕熱體，其中，所述襯里絕熱體的至少一部分形成用于容納坩堝的內(nèi)部。

2.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述襯里絕熱體包括石墨。

3.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述襯里絕熱體包括碳泡沫材料。

4.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述基座絕熱體包括陶瓷材料。

5.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，形成所述基座絕熱體的材料的化學(xué)屬性和結(jié)構(gòu)均不同于形成所述襯里絕熱體的材料。

6.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，其中，所述基座絕熱體由與所述襯里絕熱體相同的材料形成。

7.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，進(jìn)一步包括坩堝，所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝附近。

8.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，進(jìn)一步包括坩堝，所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝下方。

9.如權(quán)利要求1所述的帶狀晶拉晶爐，進(jìn)一步包括定位在所述基座絕熱體和所述襯里絕熱體上方的后熱器，所述后熱器由所述基座絕熱體支撐。

10.一種帶狀晶生長(zhǎng)方法，包括：

設(shè)置基座絕熱體；并且

將襯里絕熱體以可移除方式連接到所述基座絕熱體，其中，所述襯里絕熱體的至少一部分形成用于容納坩堝的內(nèi)部。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述襯里絕熱體包括石墨。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述襯里絕熱體包括碳泡沫材料。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述基座絕熱體包括陶瓷材料。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述基座絕熱體的材料的化學(xué)屬性和結(jié)構(gòu)均不同于形成所述襯里絕熱體的材料。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述基座絕熱體由與所述襯里絕熱體相同的材料形成。

16.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括：

設(shè)置坩堝，將所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝附近。

17.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括：

設(shè)置坩堝，將所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝下方。

18.一種使帶狀晶生長(zhǎng)的方法，所述方法包括：

設(shè)置具有坩堝的爐，所述坩堝具有多個(gè)線孔，所述爐還具有基座絕熱體，所述基座絕熱體具有以可移除方式連接的第一襯里；

將熔融材料添加到所述坩堝；并且

將線穿過(guò)所述線孔和所述熔融材料，以生長(zhǎng)出帶狀晶。

19.如權(quán)利要求18所述方法，進(jìn)一步包括：

移除所述第一襯里；并且

以可移除的方式將第二襯里連接到所述基座絕熱體。

20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述襯里絕熱體包括石墨或碳泡沫材料。

21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述基座絕熱體包括陶瓷材料。

22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述基座絕熱體由與所述襯里絕熱體相同的材料形成。

23.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝附近。

24.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述襯里絕熱體的至少一部分定位在所述坩堝下方。