[發明專利]在基板間隙中形成氧化物犧牲襯層的氧氣SACVD方法

無效

• 申請號: 200880018449.3
• 申請日: 2008-06-05
• 公開（公告）號: CN102203921A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 鄭義;薩沙·J·奎斯金;凱達爾·薩普爾;尼汀·K·英格爾;袁正
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種形成和去除氧化物犧牲層的方法，該方法包括：

在基板上形成階梯(step)，其中該階梯具有頂部和側壁；

通過分子氧和含硅前驅物的化學氣相沉積在該階梯周圍形成該氧化物犧牲層，其中該氧化物犧牲層形成在該階梯的頂部和側壁上；

去除該氧化物犧牲層和該階梯的頂部部分，同時留下該氧化物犧牲層的剩余部分，該剩余部分包括至少部分上述側壁；

去除通過去除該階梯而暴露出的該基板的部分，以形成蝕刻基板；以及

從該蝕刻基板中去除該氧化物犧牲層的該剩余部分。

2.如權利要求1所述的方法，其中該階梯包括光刻劑材料。

3.如權利要求2所述的方法，其中該光刻劑材料包括含碳化合物。

4.如權利要求2所述的方法，其中該光刻劑材料包括非晶碳薄膜。

5.如權利要求1所述的方法，其中該含硅前驅物包括有機硅烷或有機硅氧烷化合物。

6.如權利要求1所述的方法，其中該含硅前驅物包括四乙氧基硅烷(TEOS)。

7.如權利要求1所述的方法，其中在該氧化物犧牲層形成期間，該基板被加熱至約600℃或更低的溫度。

8.如權利要求1所述的方法，其中在該氧化物犧牲層形成期間，沉積室中總壓力為約100托(Torr)或更高。

9.如權利要求1所述的方法，其中該氧化物犧牲層在沉積時的厚度為約～約

10.如權利要求1所述的方法，其中該氧化物犧牲層以約/分鐘～約/分鐘的速率沉積。

11.如權利要求1所述的方法，其中在該氧化物犧牲層形成期間，該含硅前驅物的流速為約4000mgm，而該分子氧的流速為約30slm。

12.如權利要求1所述的方法，其中使用氟蝕刻劑通過干式化學蝕刻法去除該氧化物犧牲層。

13.如權利要求1所述的方法，其中在缺乏臭氧的情況下完成該氧化物犧牲層的形成過程。

14.一種在光刻(photolithography)過程中引入氧化物犧牲層的方法，該方法包括：

在基板上形成第一光刻劑層和第二光刻劑層；

圖案化該第二光刻劑層以形成階梯，該階梯具有頂部和側壁；

通過分子和TEOS的化學氣相沉積在該階梯周圍形成該氧化物犧牲層，其中該氧化物犧牲層形成在該階梯的頂部和上述側壁上；

去除該氧化物犧牲層和該階梯的頂部部分，同時留下該氧化物犧牲層的剩余部分；

去除該第一光刻劑層通過去除該階梯而暴露出的部分；

去除通過去除該第一光刻劑層的上述部分而暴露出的該下方基板的部分，以在該基板中形成蝕刻間隙；以及

從該蝕刻基板中去除該氧化物犧牲層的該剩余部分。

15.如權利要求14所述的方法，其中該第一光刻劑層和該第二光刻劑層包括碳。

16.如權利要求14所述的方法，其中該第一光刻劑層和該第二光刻劑層包括高級圖案化薄膜(Advanced?Pattering?Film)。

17.如權利要求14所述的方法，其中蝕刻至該基板中的該間隙的寬度為約40nm或更小。

18.如權利要求14所述的方法，其中蝕刻至該基板中的該間隙的寬度為約32nm或更小。

19.如權利要求14所述的方法，其中蝕刻至該基板中的該間隙的寬度為約40nm～約22nm。

20.如權利要求14所述的方法，其中在該氧化物犧牲層沉積期間，總壓力為至少500托(Torr)。

21.如權利要求14所述的方法，其中在該氧化物犧牲層沉積期間，該基板系被加熱至約400℃～約450℃的溫度。

22.如權利要求14所述的方法，其中該氧化物犧牲層在沉積時的厚度為約～約

23.如權利要求14的所述之方法，其中該氧化物犧牲層以約/分鐘～約/分鐘的速率沉積。

24.如權利要求14所述的方法，其中在缺乏臭氧的情況下完成該氧化物犧牲層的形成過程。