[發明專利]用于提高等離子體工藝中的處理均勻性的設備和方法

有效

• 申請號: 200880018444.0
• 申請日: 2008-05-23
• 公開（公告）號: CN101681785A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 趙建鋼;詹姆士·D·格蒂
• 申請（專利權）人: 諾信公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/458
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 張建濤;車 文

1.一種用于在對工件進行等離子體處理中使用的設備，所述工件 具有外周邊緣，所述設備包括：

由等離子體可去除材料構成的耗蝕性體，所述耗蝕性體包括多個 部分，所述多個部分布置為當以并置關系放置時具有環形幾何形狀， 所述多個部分適于繞所述工件的所述外周邊緣同心布置，使得有效增 大所述工件的外徑。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述耗蝕性體由有機聚合物 構成。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述有機聚合物是聚醚醚酮 (PEEK)、聚酰亞胺或聚酰胺。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述耗蝕性體由在組分上與 構成所述工件的暴露于等離子體的一部分的材料相類似的材料構成。

5.根據權利要求1所述的設備，其中所述耗蝕性體具有與所述工 件的外周邊緣的外徑大致相等的內徑。

6.一種用于對工件進行等離子體處理的設備，該工件具有外周邊 緣、第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面通過所述外周邊 緣相連，所述設備包括：

構造為包含等離子體的真空封套，所述真空封套包括支承基座， 該支承基座適于當所述工件的所述第一表面暴露于等離子體時接觸并 支承所述工件的所述第二表面；以及

由等離子體可去除材料構成的耗蝕性體，所述耗蝕性體包括第一 部分和第二部分，所述第一部分和第二部分布置為當以并置關系放置 時具有環形幾何形狀，所述第一部分和第二部分適于繞支承在所述基 座上的所述工件的外周邊緣同心布置，使得有效增大所述工件的外徑。

7.根據權利要求6所述的設備，還包括：

設在所述真空封套內的晶片提升機構，所述晶片提升機構包括能 在第一位置和第二位置之間移動的晶片固定器，在所述第一位置中， 所述晶片固定器以與所述支承基座不接觸的關系保持所述工件，在所 述第二位置中，所述晶片固定器以與所述支承基座相接觸的關系放置 所述工件的所述第二表面，并且所述耗蝕性體的所述第一部分由所述 晶片固定器攜載。

8.根據權利要求7所述的設備，其中所述第二部分鄰近所述支承 基座安裝，并且，當所述晶片固定器在所述第一位置和所述第二位置 之間移動時，所述第二部分靜止。

9.根據權利要求6所述的設備，其中所述耗蝕性體由有機聚合物 構成。

10.根據權利要求9所述的設備，其中所述有機聚合物是聚醚醚 酮(PEEK)、聚酰亞胺或聚酰胺。

11.根據權利要求6所述的設備，其中所述耗蝕性體由在組分上 與構成所述工件的暴露于等離子體的一部分的材料相類似的材料構 成。

12.根據權利要求6所述的設備，其中所述耗蝕性體具有與所述 工件的外周邊緣的外徑大致相等的內徑。

13.一種用于對位于真空封套內的支承基座上的工件進行等離子 體蝕刻的方法，該工件具有第一表面、第二表面和連接所述第一表面 和第二表面的外周邊緣，所述方法包括：

將由等離子體可去除材料構成的耗蝕性體繞所述工件的外周邊緣 布置，其中所述耗蝕性體被分為多個部分，所述多個部分在對齊時限 定環形幾何形狀；

將所述工件臨時支承在設于所述真空封套內的晶片提升機構上；

移動所述晶片提升機構，以將所述工件從所述晶片提升機構傳送 到所述支承基座；以及

當傳送所述工件時，將所述耗蝕性體的所述部分中的至少一個部 分與所述耗蝕性體的所述部分中的至少另一個部分對齊，以限定基本 連續的環形幾何形狀；

將所述工件的所述第一表面和所述耗蝕性體暴露于等離子體；以 及

使最大蝕刻速度從所述工件的所述第一表面上的位置移位到所述 耗蝕性體上的不同的位置。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括：

利用暴露于等離子體來侵蝕所述耗蝕性體的材料；以及

在出現對所述耗蝕性體的充分侵蝕之后，將所述耗蝕性體用另一 個耗蝕性體替換。