[發(fā)明專利]用于測(cè)量在電導(dǎo)體中流動(dòng)的電流的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880018370.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101680917A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B·羅爾根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R15/18 | 分類號(hào): | G01R15/18;G01R15/20 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 胡莉莉;李家麟 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 測(cè)量 導(dǎo)體 流動(dòng) 電流 裝置 | ||
1.一種用于測(cè)量在電導(dǎo)體(1)中流動(dòng)的電流的裝置,其具有:
-具有氣隙(3)的磁路(2),用于與電導(dǎo)體(1)耦合,
-被布置在磁路(2)的氣隙(3)中的對(duì)磁場(chǎng)敏感的器件(4), 用于測(cè)量由電導(dǎo)體(1)產(chǎn)生的磁場(chǎng),
-兩個(gè)控制核心(5),用于控制氣隙(3),所述兩個(gè)控制核心(5) 被布置在氣隙(3)中,
-其中,控制核心(5)分別具有用于使相應(yīng)的控制核心(5)磁飽 和的控制繞組(6),
-其中,對(duì)磁場(chǎng)敏感的器件(4)被布置在控制核心(5)之間,并 且一個(gè)或多個(gè)附加的元件(7)位于對(duì)磁場(chǎng)敏感的器件(4)的附近, 所述一個(gè)或多個(gè)附加的元件(7)與控制核心(5)無關(guān)地適合于在對(duì) 磁場(chǎng)敏感的器件(4)周圍引導(dǎo)磁場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,元件(7)能夠被磁化。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置,其中,元件(7)由軟磁 材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,元件(7)具有大于 或者等于控制核心(5)的相對(duì)磁導(dǎo)率的相對(duì)磁導(dǎo)率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,元件(7)被布置在 對(duì)磁場(chǎng)敏感的器件(4)的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,當(dāng)控制核心(5)飽 和時(shí),元件(7)具有剩余導(dǎo)磁率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,元件(7)包含鐵磁 金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,磁路(2)包圍電導(dǎo) 體(1)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,控制核心(5)被構(gòu) 建為鐵氧體芯。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中,控制核心(5)具有矩形 框架并且在框架的至少一側(cè)上具有用于使控制核心(5)飽和的控制繞 組(6)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中,控制核心(5)以環(huán)的形 式被構(gòu)建并且在環(huán)的部分區(qū)域中具有用于使控制核心(5)飽和的控制 繞組(6)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,控制核心(5)在兩 個(gè)對(duì)置的側(cè)上具有控制繞組(6)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,控制核心(5)在共 同的平面中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,控制核心(5)彼此 扭轉(zhuǎn)地被布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中,對(duì)磁場(chǎng)敏感的器件 (4)是霍爾傳感器。
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