[發(fā)明專利]用于實(shí)施基于模型的光刻引導(dǎo)的布局設(shè)計(jì)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880018349.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101681093A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉軍;曹宇;馮函英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 睿初科技公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/14 | 分類號(hào): | G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 實(shí)施 基于 模型 光刻 引導(dǎo) 布局 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種用于在掩模布局中布置亞分辨輔助特征的方法,包括步驟:
產(chǎn)生用于所述掩模布局的亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖,其中所述亞分辨輔 助特征引導(dǎo)圖是這樣的圖像:即,在所述圖像中如果像素被包括作為亞分 辨輔助特征的一部分,則每個(gè)像素值指示所述像素將是否對(duì)所述掩模布局 中的特征的邊緣行為提供正面貢獻(xiàn);和
根據(jù)所述亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖在所述掩模布局中布置亞分辨輔助 特征,
其中,產(chǎn)生亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖的步驟包括:
計(jì)算所述掩模布局的圖像梯度圖;
對(duì)于在所述掩模布局中的每一個(gè)場(chǎng)點(diǎn),采用所述圖像梯度圖計(jì)算在所 述場(chǎng)點(diǎn)處單元源的總的表決和;和
在所述亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖中分配值,其中在所述亞分辨輔助特征 引導(dǎo)圖中像素處的所述值是在所述掩模布局中對(duì)應(yīng)場(chǎng)點(diǎn)處的總的表決和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,計(jì)算在所述場(chǎng)點(diǎn)處單元源的總 的表決和是在頻率域中執(zhí)行的并且包括步驟:
計(jì)算表示曝光工具的光學(xué)路徑的傳遞交叉系數(shù)的最重要的本征向量 的逆傅里葉變換;
計(jì)算所述掩模布局的傅里葉變換;
將所述逆傅里葉變換乘以頻率的平方和和所述掩模布局的傅里葉變 換以產(chǎn)生乘積結(jié)果;和
計(jì)算所述乘積結(jié)果的逆傅里葉變換以產(chǎn)生所述亞分辨輔助特征引導(dǎo) 圖。
3.一種具有包括亞分辨輔助特征的掩模布局的掩模,其中所述亞分辨 輔助特征根據(jù)亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖進(jìn)行布置,其中所述亞分辨輔助特征 引導(dǎo)圖是這樣的圖像:即,在所述圖像中如果像素被包括作為亞分辨輔助 特征的一部分,則每個(gè)像素值指示所述像素將是否對(duì)所述掩模布局中的特 征的通過(guò)焦距和通過(guò)劑量邊緣行為提供正面貢獻(xiàn)。
4.一種用于在掩模布局內(nèi)確定一個(gè)或更多個(gè)特征的位置的方法,包括 步驟:
在所述掩模布局內(nèi)布置第一特征;
基于所述第一特征的布置執(zhí)行掩模模擬,其中執(zhí)行所述掩模模擬的步 驟包括產(chǎn)生亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖,其中所述亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖是這 樣的圖像,即:如果像素被包括作為附加特征的一部分,則每個(gè)像素值指 示所述像素將是否對(duì)所述掩模布局中的特征的通過(guò)焦距和通過(guò)劑量邊緣 行為提供正面貢獻(xiàn),所述產(chǎn)生亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖的步驟包括:計(jì)算所 述掩模布局的圖像梯度圖;對(duì)于在所述掩模布局中的每一個(gè)場(chǎng)點(diǎn),采用所 述圖像梯度圖計(jì)算在所述場(chǎng)點(diǎn)處單元源的總的表決和;和在所述亞分辨輔 助特征引導(dǎo)圖中分配值,其中在所述亞分辨輔助特征引導(dǎo)圖中像素處的所 述值是在所述掩模布局中對(duì)應(yīng)場(chǎng)點(diǎn)處的總的表決和;和
基于從所述模擬中獲得的結(jié)果確定用于在所述掩模布局中布置第二 特征的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括步驟:
在所確定的位置布置所述第二特征;和
基于前面布置的特征反復(fù)地重復(fù)執(zhí)行掩模模擬的步驟,確定用于在所 述掩模布局內(nèi)布置另一特征的位置,并且布置所述另一特征直到所需數(shù)目 的特征已經(jīng)布置在所述掩模布局中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,還包括步驟:采用OPC最優(yōu)化所述 掩模布局。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,還包括步驟:采用分辨率增強(qiáng)技術(shù)最 優(yōu)化所述掩模布局。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,還包括步驟:產(chǎn)生多個(gè)布局引導(dǎo)圖, 其中每個(gè)布局引導(dǎo)圖表示掩模布局的模擬的成像性能。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述每個(gè)布局引導(dǎo)圖包括具有 多個(gè)像素值的兩維圖像,基于一個(gè)或更多個(gè)所述像素值計(jì)算特征的所述布 置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,每個(gè)所述像素值表示對(duì)布置 在所述像素上的一部分特征的所述掩模布局內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)圖案的可 印刷性的影響。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,對(duì)可印刷性的所述影響是負(fù) 面的影響。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,布置在所述像素上的所述部 分特征提高所述一個(gè)或更多個(gè)圖案的可印刷性。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





