[發明專利]在間距加倍工藝期間隔離陣列特征的方法和具有經隔離陣列特征的半導體裝置結構

有效

• 申請號: 200880018082.5
• 申請日: 2008-05-22
• 公開（公告）號: CN101681811A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 亞當·L·奧爾森
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 沈錦華

1.一種半導體制造方法，其包括：

在襯底上形成多個特征，所述多個特征中的每一特征包括具有第一寬度的中部區 以及至少一個具有第二寬度的末端，所述第二寬度不同于所述第一寬度；以及

在所述多個特征中的每一特征上形成間隔物側壁，所述間隔物側壁在所述多個特 征的所述至少一個末端處彼此實質上接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括形成所述多個特征的 具有比所述多個特征的所述至少一個末端的所述寬度小的寬度的所述中部區。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括形成所述多個特征的 彼此實質上鄰近且分隔一距離的所述至少一個末端。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括由抗蝕劑材料形成所 述多個特征。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括形成所述多個特征的 彼此交錯且分隔一距離的所述至少一個末端。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括形成在所述多個特征 的所述至少一個末端之間具有小于或等于所述多個特征之間的間距的一半的距離 的所述多個特征。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在襯底上形成多個特征包括通過第一空間而分隔 所述多個特征中的每一者，其中所述第一空間的末端的寬度小于所述第一空間的中 部區的寬度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在所述多個特征中的每一特征上形成間隔物側壁 包括以大于或等于鄰近特征的末端之間的距離的一半的厚度沉積所述間隔物側壁。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括移除所述多個特征以形成包括第二空間 和所述間隔物側壁的圖案。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括將包括所述第二空間和所述間隔物側壁 的所述圖案轉印到所述襯底。

11.一種半導體裝置結構，其包括：

在襯底上的多個特征，其中所述多個特征的末端比所述多個特征的中部區寬；

在所述多個特征之間的空間，其中所述空間的末端比所述空間的中部區窄；以及 間隔物側壁，其圍繞所述多個特征中的每一者，其中所述間隔物側壁在所述多個 特征的所述末端之間彼此實質上接觸。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置結構，其中所述多個特征包括抗蝕劑材料。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置結構，其中圍繞所述多個特征中的每一者的所 述間隔物側壁實質上填充所述多個特征中的每一者之間的所述空間的所述末端。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置結構，其中鄰近間隔物側壁隔離所述多個特征 之間的所述空間。

15.根據權利要求11所述的半導體裝置結構，其中所述多個特征的所述末端包括T形 狀或L形狀。

16.一種半導體制造方法，其包括：

在襯底上形成彼此緊鄰定位的多個細長特征，所述多個特征中的第一特征的末端 被定向為接近所述多個特征中的第二特征的末端；以及

在所述多個細長特征中的每一特征上形成間隔物側壁，在所述第一特征的一側上 的鄰近于所述第一特征的所述末端的所述間隔物側壁接觸在所述第二特征的一側 上的鄰近于所述多個特征中的所述第二特征的所述末端的所述間隔物側壁。

17.一種半導體裝置結構，其包括：

在襯底上彼此緊鄰定位的多個細長特征，所述多個特征中的第一特征的末端被定 向為接近所述多個特征中的其余特征的末端；

在所述多個特征中的所述第一特征的所述末端與所述其余特征的所述末端之間 的空間；以及

間隔物側壁，其在所述第一特征的一側上，鄰近于所述第一特征的所述末端，接 觸在第二特征的一側上的鄰近于所述多個特征中的所述第二特征的末端的間隔物 側壁。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置結構，其中所述間隔物側壁實質上填充所述多 個特征中的所述第一特征與所述其余特征之間的所述空間。