[發(fā)明專利]擴散接合的半導體生產(chǎn)中有用的流體流設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880017962.0 | 申請日: | 2008-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN101681803A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·克羅克特;J·W·萊恩;V·柯什霍夫;M·E·約瑟夫森;H·P·高;M·貝斯萬 | 申請(專利權(quán))人: | 應用材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸 嘉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 擴散 接合 半導體 生產(chǎn) 有用 流體 設(shè)備 | ||
相關(guān)申請
本發(fā)明是與下列各案相關(guān):2004年5月18日公告的Mark?Crockett等人的美國專利第6,736,370號;2003年7月12日申請的Crockett等人的美國專利申請第10/617,950號,目前為待審,且為美國專利第6,736,370號的部分連續(xù)案;2006年8月23日申請的美國專利申請第11/509,507號,目前為待審,且為美國專利申請第10/617,950號的分割案;2006年10月3日申請的美國專利申請序號第11/542,829號,目前為待審,且為美國專利申請第10/617,950號的分割案;2006年10月17日申請的美國專利申請序號第11/582,748號,目前為待審,且為美國專利申請第10/617,950號的分割案;以及2006年10月24日申請的美國專利申請序號第11/586,103號,目前為待審,且為美國專利申請第10/617,950號的分割案。在此將上述各案并入以做為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種生產(chǎn)在半導體處理設(shè)備中特別有用的流體輸送系統(tǒng)的方法,其中該流體輸送系統(tǒng)常暴露在腐蝕性環(huán)境中。該流體輸送系統(tǒng)的一識別特征在于至少一部分的流體輸送系統(tǒng)組件是經(jīng)擴散接合(diffusion?vonded)。該方法可用來生產(chǎn)一種也可用于其它產(chǎn)業(yè)的流體輸送系統(tǒng),其中所使用的起始材料是經(jīng)選擇以利特定的終端用途。該流體輸送系統(tǒng)可包含整合式流體部件,例如為過濾器、壓力傳感器、流體熱傳感器(fluidic?thermal?sensors)、層流組件、壓力調(diào)節(jié)器、控制閥、流量限制器、以及止回閥(check?valves),其可以不同程度整合至該流體輸送系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的結(jié)構(gòu)中。
背景技術(shù)
此部分描述與所揭示的本發(fā)明實施例有關(guān)的背景標的物。并無意,無論是明示或暗示,使在此所述的背景技藝合法構(gòu)成先前技藝。
在通常依賴流體處理的化學處理中,并且尤其是當欲處理的流體有毒、有害并且可能與建構(gòu)材料或環(huán)境空氣產(chǎn)生反應時,改善的系統(tǒng)泄漏可靠度以及該流體處理設(shè)備的審慎整合至構(gòu)成該流體處理系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)中是最重要的。此外,用于該流體處理中的所有部件設(shè)備皆完善整合至該總流體流量網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)中是很重要的,以確保系統(tǒng)泄漏可靠度,提供一小尺寸,并允許具彈性的控制。在例如半導體處理的應用中,例如,該等流體部件設(shè)備也必須展現(xiàn)出確保該流體輸送系統(tǒng)工藝的潔凈度的特定能力,以使所制造的固態(tài)組件不會受到污染,并不會影響其效能及可靠度。
如在相關(guān)的2004年5月18日核準予Crockett等人,并且專利名稱為「擁有動態(tài)金屬座及圓椎狀圓盤彈簧的膜片閥(Diaphragm?Valve?WithDynamic?Metal?Seat?And?Coned?Disk?Springs)」的美國專利第6,736,370號中所述,為確保該流體輸送設(shè)備不會產(chǎn)生微粒,流體流動通道的內(nèi)部表面平滑并且沒有可磨損并做為微粒來源的尖角是很重要的。此外,形成該等流體流動通道的材料不會被通過該等流體流動通道的流體所腐蝕,并且該等通道中沒有可容許腐蝕且在該流體流動系統(tǒng)關(guān)閉進行維修時做為有害材料的來源的死角也是很重要的。
在半導體處理設(shè)備中,該流體流動系統(tǒng)不會發(fā)生泄漏是關(guān)鍵性的;此外,流體輸送系統(tǒng)通常使用例如氫氣和氦氣的氣體。氫氣是最輕的元素,并且在自然界中是以無色、無味、高度可燃氣體的H2分子型態(tài)存在。從一配管系統(tǒng)的小孔所泄漏的氫氣可點燃,并以近乎不可見的藍色火焰燃燒,這對于在附近行走的人而言是非常危險的。氦氣也是一種重量輕的小原子,其因為其小原子尺寸、擴散性及高流動性,故常用于泄漏測試。雖然氦氣的泄漏不如氫氣的泄漏般危險,但該流體流動系統(tǒng)必須適于容納氦氣而無實質(zhì)泄漏。一般的半導體產(chǎn)業(yè)的氦氣泄漏標準是在一大氣壓的壓差下為低至約1x10-9cc/sec的氦氣。可符合此氦氣泄漏要求的流體流動系統(tǒng)是防止讓環(huán)境暴露在通常極具毒性及腐蝕性的工藝流體中的能力的象征。因為所輸送的眾多流體的毒性,非常高的系統(tǒng)泄露可靠度及長的使用壽命(避免關(guān)機及替換部件的需要)是極重要的。小型的設(shè)計以及合理的成本也是重要的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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