[發明專利]去除抗蝕劑的方法和裝置有效
| 申請號: | 200880017047.1 | 申請日: | 2008-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN101715601A | 公開(公告)日: | 2010-05-26 |
| 發明(設計)人: | 三浦敏德 | 申請(專利權)人: | 株式會社明電舍 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 抗蝕劑 方法 裝置 | ||
1.從基板上去除抗蝕劑的方法,其包含:
將該基板放置在一腔體中;
造成并保持該腔體內部低于大氣壓;
將不飽和烴供應給該腔體內部;
將臭氧氣體供應給該腔體內部;
將水蒸汽供應給該腔體內部;
將臭氧氣體、不飽和烴和水蒸汽向該腔體中的供應停止;以及
使用純水清洗該基板。
2.權利要求1的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中臭氧氣體、不飽和 烴和水蒸汽向該腔體中的供應的停止按在此所述的順序進行。
3.權利要求2的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中臭氧氣體的濃度為 100vol%。
4.權利要求3的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中通過使含有臭氧的 氣體借助臭氧氣體和其它氣體組分之間的蒸汽壓力差發生液化分離以產 生液化的臭氧,然后蒸發液化的臭氧而產生所述臭氧氣體。
5.權利要求2的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中用于清洗基板的純 水為超純水。
6.權利要求2的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中基座的加熱通過使 用發射紅外線的光源進行。
7.從基板上去除抗蝕劑的方法,其包含:
準備一腔體;
將該基板放置在該腔體中;
將該基板在100℃加熱;
將不飽和烴供應給該腔體,其供應量使得該腔體內部為350Pa;
將臭氧氣體供應給該腔體,其供應量使得含有不飽和烴的該腔體內部 為700Pa;
將水蒸汽供應給該腔體,其供應量使得含有不飽和烴和臭氧氣體的該 腔體內部為1500Pa;
將臭氧氣體向該腔體中的供應停止;
將不飽和烴向該腔體中的供應停止;
將水蒸汽向該腔體中的供應停止;以及
使用純水清洗該基板。
8.權利要求7的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中該臭氧氣體為 100vol%的超高濃度臭氧氣體。
9.權利要求8的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中該超高濃度臭氧氣 體向該腔體中的供應的停止在該腔體內部達到1500Pa?4分鐘后進行。
10.權利要求9的從基板上去除抗蝕劑的方法,其中該水蒸汽向該腔 體中的供應的停止在該不飽和烴向該腔體中的供應停止30秒后進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





