[發明專利]對電連接中具有高遷移率的組分的束縛有效
| 申請號: | 200880016621.1 | 申請日: | 2008-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN101681853A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發明(設計)人: | 約翰·特雷扎 | 申請(專利權)人: | 丘費爾資產股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/485;B23K35/30;H01L21/98 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務所 | 代理人: | 傅強國 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連接 具有 遷移率 組分 束縛 | ||
1.一種形成電連接的方法,所述方法包含使用接合材料和阻隔材料聯接第一電觸點和第二電觸點,其中,所述接合材料包含具有第一合成物的合金,所述第一合成物包括第一成分和第二成分,其中所述阻隔材料具有被選擇的濃度,以使所述阻隔材料束縛所述第一成分或第二成分的可動部分,從而將所述第一合成物改變成包含所述第一成分和第二成分的第二合成物,并且其中所述第二合成物具有比所述第一合成物高的熔點。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二電觸點,所述接合材料,以及所述阻隔材料包括剛性部分和韌性部分,并且所述聯接包含穿透所述剛性部分進入所述韌性部分。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述接合材料的高度限制為小于25μm。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述接合材料的高度限制為小于15μm。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述接合材料的高度限制為小于9μm。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻隔材料具有在所述阻隔材料和所述擴散的可動成分的組合體積的20%和67%之間的體積。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻隔材料束縛所述擴散的可動成分的實質部分,以使所述電連接將持續至少1000小時而沒有實質的相遷移。?
8.一種兩個觸點之間的電連接,所述電連接包括:
包含具有第一合成物的合金的接合材料,所述第一合成物包括第一成分和第二成分;以及
阻隔材料,配置來束縛所述第一成分或第二成分的可動部分,從而將所述第一合成物改變成包含所述第一成分和第二成分的第二合成物,其中所述第二合成物具有比所述第一合成物高的熔點;
其中所述阻隔材料具有在所述阻隔材料和可動材料的組合體積的20%和67%之間的體積,使得所述阻隔材料束縛所述可動材料的實質部分,并且
其中所述可動材料的至少一個部分是所述兩個觸點中的至少一個、形成所述電連接之前的結合金屬、或者結合金屬上的阻隔的一部分。
9.如權利要求8所述的電連接,其特征在于,所述接合金屬包含金。
10.如權利要求8所述的電連接,其特征在于,所述阻隔材料包含鎳(Ni)、鉻(cr)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、或鎢(w)中的至少一種。
11.如權利要求8所述的電連接,其特征在于,所述可動材料包含錫。
12.一種包含在兩個電觸點之間的連接的設備,所述連接包括具有第一組合物和第一熔點的接合金屬,阻隔材料和合金,所述合金具有能夠在形成所述連接之前相間隔離的可動組成成分,以及所述阻隔材料束縛所述可動組成成分的實質部分,以使:
所述連接能夠在200℃的溫度下持續至少1000小時而沒有經受實質的相間隔離;并且
所述接合金屬的第一組合物改變成具有比所述第一熔點高的第二熔點的結合金屬的第二組合物。?
13.如權利要求12所述的設備,其特征在于,所述合金進一步包含:
至少一些阻隔材料,以及
至少一些接合金屬。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





