[發(fā)明專利]圖案形成方法、由此形成的圖案或模具

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880016608.6
• 申請(qǐng)日: 2008-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN101681095A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寺崎敦則;關(guān)淳一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00;B29C59/02
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 魏小薇

1.一種圖案形成方法，包括：

在設(shè)置在第二材料的薄膜上的轉(zhuǎn)移層上形成抗蝕劑的圖案的步 驟，所述薄膜被設(shè)置在第一材料的基材的表面上；

在所述抗蝕劑的圖案上形成第三材料的第一反轉(zhuǎn)層的步驟；

通過在去除所述第一反轉(zhuǎn)層以露出所述抗蝕劑的表面之后去除 所述抗蝕劑、形成與所述抗蝕劑的圖案互補(bǔ)的第一反轉(zhuǎn)層的第一反轉(zhuǎn) 圖案的步驟；

通過使用第一反轉(zhuǎn)圖案作為掩模蝕刻所述轉(zhuǎn)移層、形成包含所述 轉(zhuǎn)移層和在所述轉(zhuǎn)移層上形成的第一反轉(zhuǎn)圖案的第二反轉(zhuǎn)圖案的步 驟；

在第二反轉(zhuǎn)圖案上形成第三材料的第二反轉(zhuǎn)層的步驟；

通過在去除第二反轉(zhuǎn)層和第一反轉(zhuǎn)圖案以露出所述轉(zhuǎn)移層的表 面之后去除所述轉(zhuǎn)移層、形成與第一反轉(zhuǎn)圖案互補(bǔ)的第二反轉(zhuǎn)層的第 三反轉(zhuǎn)圖案的步驟；

通過使用第三反轉(zhuǎn)圖案作為掩模蝕刻所述薄膜、形成包含其上形 成有第三反轉(zhuǎn)圖案的所述薄膜的硬掩模層的步驟；和

使用其上保留第三反轉(zhuǎn)圖案的硬掩模層或其上已去除第三反轉(zhuǎn) 圖案的硬掩模層作為掩模蝕刻所述基材的步驟，

其中，所述第一反轉(zhuǎn)層和第二反轉(zhuǎn)層由對(duì)等離子體的抵抗力比所 述抗蝕劑高的材料形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在所述蝕刻所述基材的步驟 中，硬掩模層被用作掩模的區(qū)域以外的面積小于所述基材的整個(gè)表面 的面積的50％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述圖案形成方法還包括： 在形成第一反轉(zhuǎn)層的所述步驟之后使第一反轉(zhuǎn)層平坦化的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述圖案形成方法還包括： 在形成第二反轉(zhuǎn)層的所述步驟之后使第二反轉(zhuǎn)層平坦化的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，第一材料是氧化硅，第二材 料是鉻，以及第三材料是包含氧化硅的旋涂玻璃。