[發(fā)明專利]用于太陽能電池制造的小接觸的陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880016124.1
• 申請日: 2008-05-12
• 公開（公告）號: CN101681902A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設計）人: P·J·卡曾斯;M·J·卡德茲諾維克
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產權代理有限公司
• 代理人: 王 勇;姜 華

1.一種太陽能電池的制造方法，該方法包括：

在要被處理到太陽能電池中的晶片上形成第一電介質層；

在該第一電介質層上形成多個第二電介質層；以及

至少在該第二電介質層之間的開口中噴墨印刷多個點用以通過該點的交叉形成多個空隙，該空隙的間隔取決于分送該點的噴墨印刷機噴嘴的排列。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第二電介質層包括在該晶片上絲網印刷的聚酰亞胺。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，還包括：

用該多個點作為掩模通過該第一電介質層形成接觸區(qū)域；

從該晶片移除該多個點；以及

在該第一電介質層上形成金屬接觸指用以產生通過該接觸區(qū)域到該第一電介質層下的擴散區(qū)域的電連接。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其中至少一些該金屬接觸指包括所形成的用以產生通過至少一些該接觸區(qū)域到對應N型擴散區(qū)域的電連接的N型金屬接觸指，和所形成的用以產生通過至少一些該接觸區(qū)域到對應P型擴散區(qū)域的電連接的P型金屬接觸指，該P型和N型擴散區(qū)域在該晶片的背面形成，該背面與在正常工作期間面向太陽的該晶片的前面相對。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池的制造方法，其中不是該P型金屬接觸指而是該N型金屬接觸指在該第二電介質層上形成。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一電介質層包括二氧化硅且該第二電介質層包括聚酰亞胺。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該點在該晶片上在包括該噴嘴的印刷頭的一次經過中以一個方向被印刷。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池的制造方法，還包括：

至少以另一次經過使該印刷頭在該晶片上經過，用以印刷覆蓋在多個空隙中的一個空隙上的另一個點。

9.一種太陽能電池的制造方法，該方法包括：

在太陽能電池晶片上形成第一電介質層；?

在該第一電介質層上形成多個第二電介質層；

至少在兩個該第二電介質層之間的開口中印刷多個點，該多個點形成接觸掩模，形成多個空隙，每一個該空隙由在該多個點中的重疊點的交叉來限定；以及

刻蝕通過該空隙暴露的該第一電介質層的部分用以形成暴露該太陽能電池的多個擴散區(qū)域的多個接觸區(qū)域。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，還包括：

從該晶片移除該多個點；以及

在該多個接觸區(qū)域中形成金屬接觸指用以電連接到在該多個擴散區(qū)域中的對應的擴散區(qū)域。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池的制造方法，其中一些該金屬接觸指包括N型金屬接觸指，其電連接到在該太陽能電池的背面上的該多個擴散區(qū)域中的N型擴散區(qū)域，并且一些該金屬接觸指包括P型金屬接觸指，其電連接到在該太陽能電池的背面上的該多個擴散區(qū)域中的P型擴散區(qū)域。

12.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其中該多個第二電介質層在該第一電介質層上絲網印刷。

13.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其中該多個點采用噴墨印刷機印刷。

14.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其中該多個第二電介質層包括聚酰亞胺。

15.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一電介質層包括二氧化硅。

16.一種太陽能電池的制造方法，該方法包括：

在太陽能電池晶片上兩個電介質層之間的開口中印刷多個點，該多個點限定空隙，每個空隙通過該多個點中重疊點的交叉來形成，在該空隙之間的間隔由分送該多個點的噴嘴的物理排列所限定，以便該多個點不嚴格對準于其上印刷該多個點的太陽能電池晶片的部件；

用該多個點作為刻蝕掩模來刻蝕該兩個電介質層中在該多個點下方的一個電介質層，用以形成到下面的擴散區(qū)域的接觸區(qū)域，該接觸區(qū)域由該空隙所限定；以及

在該一個電介層上形成金屬接觸指，形成該金屬接觸指用以通過該接觸區(qū)域電連接到該下面的擴散區(qū)域。?