[發(fā)明專利]用于提高襯底內(nèi)處理均勻性的動態(tài)溫度背部氣體控制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880015806.0
• 申請日: 2008-03-11
• 公開（公告）號: CN101681870A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 拉達·桑達拉拉珍;陳立;麥里特·法克
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;C23C16/458
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 趙 飛;南 霆

1.一種控制襯底表面的處理均勻性的方法，包括：

在處理用真空室中的襯底支撐件上支撐襯底；

通過所述襯底支撐件中多個氣體端口向所述襯底支撐件和所述襯底之間的空間提供背部氣體；

在所述氣體端口中不同的氣體端口處分別控制背部氣體壓強，以在各個所述氣體端口的周圍區(qū)域中分別控制處理過程中背部氣體沿著所述襯底的壓強的變化或均勻性；

其中所述襯底支撐件的每個所述區(qū)域具有至少兩個所述氣體端口，所述氣體端口包括至少一個連接到背部氣體供應(yīng)的背部氣體進氣端口、和至少一個連接到真空排氣系統(tǒng)的排氣端口，并且其中所述方法還包括：

分別動態(tài)控制至少一個閥，所述閥改變流向或流出每一個所述區(qū)域中的端口的氣流，以改變處理過程中沿著襯底的溫度分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

控制所述背部氣體壓強包括控制壓強以控制所述襯底和所述襯底支撐件之間的熱導(dǎo)率，從而改變處理過程中沿著所述襯底的溫度分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法還包括：

監(jiān)測沿著所述襯底的參數(shù)或所述襯底，并且響應(yīng)此監(jiān)控而控制所述背部氣體壓強。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在所述襯底支撐件上支撐所述襯底包括用靜電力把襯底固定到所述支撐件上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

提供所述背部氣體包括通過多個氣體端口組中每一組的多個氣體端口注入氣體，所述多個氣體端口組位于沿著所述襯底支撐件的多個區(qū)域中。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法還包括：

根據(jù)動態(tài)改變沿著所述襯底的表面溫度差的序列，分別控制通過各個所述區(qū)域中的所述氣體端口的背部氣流。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法還包括：

分別控制通過多個氣體端口組的所述背部氣流，所述多個氣體端口組位于沿著所述襯底的各個區(qū)域內(nèi)，以補償處理均勻性上的非均勻性改變的方式來改變沿著所述襯底的溫度分布，所述處理均勻性的非均勻性改變是由處理室內(nèi)的其他處理條件所引起的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法還包括：

分別控制通過多個氣體端口組的所述背部氣流，所述多個氣體端口組位于沿著所述襯底的各個區(qū)域內(nèi)，以便以補償進入的晶片的非均勻性改變或者靜電蝕刻處理的非均勻性的方式，來改變所述襯底上的溫度分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，一種等離子體處理裝置包括：真空室；所述真空室中具有襯底支撐表面的襯底支撐件；耦合到所述真空室的等離子體源；所述襯底支撐件表面中的多個氣體端口，其定位成在所述襯底支撐件表面和其上所支撐的襯底之間傳輸背部氣體；所述襯底支撐件中用于改變襯底支撐件的溫度的溫度控制單元；多個閥，每個所述閥耦合到至少一個所述氣體端口；和控制器，可操作為分別控制所述閥，以控制沿著所述襯底支撐件表面的背部氣體分布，從而沿著所述襯底改變所述支撐件表面和所述襯底之間的熱導(dǎo)率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述氣體端口處控制所述背部氣體，以至少部分地沿著所述襯底的直徑動態(tài)改變所述襯底的溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述氣體端口處控制所述背部氣體，以至少部分地從所述襯底的中心沿徑向改變所述襯底的溫度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述氣體端口處控制所述背部氣體，以至少部分地圍繞所述襯底中心沿圓周方向改變襯底溫度。