[發明專利]具有氣體混合的離子源的效能改良與生命期延長的技術

有效

• 申請號: 200880015524.0
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101681782A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 阿塔爾·古普塔
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/08
• 分類號: H01J37/08;H01J37/317;H01J27/00;H01J37/32;H01L21/265;H01L27/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 臧建明

1.一種使離子注入機中的離子源的效能改良及生命期延長的方法，所述方法包含：

將預定量的摻雜氣體導入離子源腔室，其中所述摻雜氣體包含第一協同物質與摻雜物質；及

將預定量的稀釋氣體導入所述離子源腔室，其中所述稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改良所述離子源的效能并延長所述離子源的生命期，其中所述稀釋氣體包含第二協同物質與所述摻雜物質。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜氣體為含鹵素氣體且所述稀釋氣體為含氫氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜氣體為含氫氣體且所述稀釋氣體為含鹵素氣體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法還包含將預定量的第二稀釋氣體釋放至所述離子源腔室內。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二稀釋氣體包含含鹵素氣體、含氫氣體及惰性氣體中的至少一種。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二稀釋氣體包含第二摻雜氣體及第三稀釋氣體中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜物質與所述第一協同物質及所述第二協同物質不同。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜氣體包含所述摻雜物質的氫化物且所述稀釋氣體包含相同摻雜物質的鹵化物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜氣體包含所述摻雜物質的鹵化物且所述稀釋氣體包含相同摻雜物質的氫化物。

10.一種使離子注入機中的離子源的效能改良及生命期延長的裝置，所述裝置包含：?

摻雜氣體控制器，以便將預定量的摻雜氣體自摻雜氣體源釋放至離子源腔室內，其中所述摻雜氣體包含第一協同物質與摻雜物質；及

第一稀釋氣體控制器，以便將預定量的第一稀釋氣體自第一稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室內，其中所述第一稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改良所述離子源的效能并延長所述離子源的生命期，其中所述稀釋氣體包含第二協同物質與所述摻雜物質。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述摻雜氣體為含鹵素氣體且所述稀釋氣體為含氫氣體。

12.根據權利要求10所述的裝置，其中所述摻雜氣體為含氫氣體且所述稀釋氣體為含鹵素氣體。

13.根據權利要求10所述的裝置，其中所述裝置還包含將預定量的第二稀釋氣體釋放至所述離子源腔室內。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述第二稀釋氣體包含含鹵素氣體、含氫氣體及惰性氣體中的至少一種。

15.根據權利要求13所述的裝置，其中所述第二稀釋氣體包含第二摻雜氣體及第三稀釋氣體中的至少一種。

16.根據權利要求10所述的裝置，其中所述摻雜物質與所述第一協同物質及所述第二協同物質不同。

17.根據權利要求10所述的裝置，其中所述摻雜氣體包含所述摻雜物質的氫化物且所述稀釋氣體包含相同摻雜物質的鹵化物。

18.根據權利要求10所述的裝置，其中所述摻雜氣體包含所述摻雜物質的鹵化物且所述稀釋氣體包含相同摻雜物質的氫化物。

19.一種使離子注入機中的離子源的效能改良及生命期延長的系統，所述系統包含：

離子源，所述離子源包含摻雜氣體控制器、一或多個稀釋氣體控制器及離子源腔室；?

其中所述摻雜氣體控制器將預定量的摻雜氣體自摻雜氣體源釋放至所述離子源腔室內，其中所述摻雜氣體包含第一協同物質與摻雜物質；

其中所述一或多個稀釋氣體控制器將預定量的一或多種稀釋氣體自一或多個稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室內，其中所述一或多種稀釋氣體包含一或多種協同物質與所述摻雜物質；且

其中所述摻雜氣體與所述一或多種稀釋氣體形成互補性混合物以改良所述離子源的效能并延長所述離子源的生命期。

20.根據權利要求19所述的系統，其中所述摻雜物質與一或多種協同物質中的至少一種相同。

21.根據權利要求19所述的系統，其中所述一或多種稀釋氣體包含含鹵素氣體與含氫氣體中的至少一種。?