[發明專利]半導體器件用基板清洗液以及半導體器件用基板的制造方法

有效

• 申請號: 200880015508.1
• 申請日: 2008-05-16
• 公開（公告）號: CN101681824A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 河瀬康弘;池本慎;伊藤篤史;石川誠
• 申請（專利權）人: 三菱化學株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁香蘭;張志楠

1.一種半導體器件用基板清洗液，其特征在于，其含有下述的成分 (A)、成分(B)和成分(C)，

(A)脂肪族多元羧酸、

(B)HLB值為5以上且小于13的非離子型表面活性劑、

(C)HLB值為13～20的非離子型表面活性劑，并且是成分(B)的增溶 劑，

此處，HLB＝20×Mw/M，

其中，M是非離子型表面活性劑的分子量，Mw是親水基的分子量。

2.如權利要求1所述的半導體器件用基板清洗液，其特征在于，成 分(B)的含量為0.0005～5重量％。

3.如權利要求1所述的半導體器件用基板清洗液，其特征在于，成 分(B)與成分(C)的重量比為成分(B)∶成分(C)＝1∶1～10∶1。

4.如權利要求1所述的半導體器件用基板清洗液，其特征在于，該 清洗液還含有下述成分(D)，

(D)陰離子型表面活性劑。

5.如權利要求1所述的半導體器件用基板清洗液，其特征在于，該 清洗液的pH為1～5。

6.如權利要求4所述的半導體器件用基板清洗液，其特征在于，該 清洗液還含有下述成分(E)，

(E)絡合劑。

7.一種半導體器件用基板的制造方法，所述制造方法在制作配線基 材層后具有對其表面進行化學機械研磨的工序，其特征在于，該制造方 法在該化學機械研磨工序后，具有使用含有下述的成分(A)、成分(B)和成 分(C)的清洗液，對配線基材層進行清洗的工序，

(A)脂肪族多元羧酸、

(B)HLB值為5以上且小于13的非離子型表面活性劑、

(C)HLB值為13～20的非離子型表面活性劑，并且是成分(B)的增溶 劑，

此處，HLB＝20×Mw/M，

其中，M是非離子型表面活性劑的分子量，Mw是親水基的分子量。