[發(fā)明專利]利用絲網(wǎng)印刷的局部背場(chǎng)形成高質(zhì)量背接觸

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880015312.2
• 申請(qǐng)日: 2008-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN101720512A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿吉特·羅哈吉;威猜·米蒙空革
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佐治亞科技研究公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種太陽能電池，包括：

厚度小于200微米的薄結(jié)晶硅晶片，其包含連接至n-區(qū)的p-區(qū)；

連接至所述硅晶片的背表面的第一介電層；

連接至所述第一介電層以保護(hù)所述介電層的第一阻擋層，其中 所述第一阻擋層和所述第一介電層限定通向所述硅晶片的開口，和

連接至所述硅晶片、所述第一介電層和所述第一阻擋層以傳導(dǎo) 電荷的背接觸，其中整個(gè)所述背接觸包含鋁和硅的合金，其中所述 合金在所述開口處形成厚度為6～15微米的背場(chǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述合金含有1～12原子％ 的硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述背接觸具有至少85％ 的背表面反射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述背接觸具有125厘米/ 秒或更低的背表面復(fù)合速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述鋁為非燒結(jié)的鋁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述鋁為低燒結(jié)的鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述第一介電層的厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述第一介電層包含二氧 化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述第一阻擋層的厚度為

10.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，其中所述第一阻擋層包含氮化 硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的太陽能電池，還包括：

連接至所述硅晶片的前表面以鈍化所述前表面的第二介電層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的太陽能電池，還包括：

連接至所述第二介電層以提供抗反射涂層的第二阻擋層。

13.一種太陽能電池裝置，包括：

厚度為200微米或更低的薄硅晶片，其包含連接至n-區(qū)的p- 區(qū)；

連接至所述硅晶片的背表面的第一介電層；

連接至所述第一介電層以保護(hù)所述介電層的阻擋層，其中所述 阻擋層和所述介電層限定通向所述硅晶片的至少第一開口，和

通過所述至少第一開口連接至所述阻擋層、所述第一介電層和 所述硅晶片的背接觸，其中整個(gè)所述背接觸包含具有1～12原子％ 硅的鋁。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽能電池裝置，還包括：

連接至所述硅晶片的前表面以鈍化所述硅晶片的第二介電層。

15.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽能電池裝置，其中通向所述硅晶片的所 述至少第一開口為點(diǎn)狀。

16.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽能電池裝置，其中通向所述硅晶片的所 述至少第一開口為線狀。

17.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽能電池裝置，其中所述背接觸具有至少 85％的背表面反射率。

18.一種用于制造太陽能電池裝置的方法，包括：

在薄硅晶片的摻雜基板上形成擴(kuò)散層，其中所述硅晶片具有前表 面和背表面；

利用旋涂方法在至少所述硅晶片的背表面上形成介電層；

在所述介電層上形成阻擋層；

移除所述阻擋層和背表面介電層的一部分以形成通向所述基板 的開口；

對(duì)所述開口和所述硅晶片的背表面整體施加具有1～12原子％硅 的鋁漿料；和

對(duì)所述鋁漿料實(shí)施熱處理，其中將所述鋁漿料加熱至700～900℃ 的峰值溫度。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述硅晶片為結(jié)晶硅晶片。

20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述硅晶片的厚度為50～500微米。

21.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中移除所述背表面介電層的一部分 是通過絲網(wǎng)印刷蝕刻漿料并對(duì)所述蝕刻漿料進(jìn)行熱處理來實(shí)施的。