[發(fā)明專利]電學(xué)互連結(jié)構(gòu)及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880011580.7 | 申請日: | 2008-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101652847A | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S·L·布奇瓦爾特;B·K·福爾曼;P·A·格魯伯;羅載雄;史達(dá)元 | 申請(專利權(quán))人: | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 秦 晨 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電學(xué) 互連 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
1.一種電學(xué)結(jié)構(gòu),包括:
包含第一導(dǎo)電襯墊的第一襯底;
包含第二導(dǎo)電襯墊的第二襯底;以及
將所述第一導(dǎo)電襯墊電學(xué)及機(jī)械地連接到所述第二導(dǎo)電襯墊的互 連結(jié)構(gòu),其中所述互連結(jié)構(gòu)包含無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)、與所述無焊料金 屬芯結(jié)構(gòu)的第一部分直接機(jī)械接觸的第一焊料結(jié)構(gòu)、以及與所述無焊 料金屬芯結(jié)構(gòu)的第二部分直接機(jī)械接觸的第二焊料結(jié)構(gòu),其中所述第 一焊料結(jié)構(gòu)將所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)的所述第一部分電學(xué)及機(jī)械地連 接到所述第一導(dǎo)電襯墊,以及其中所述第二焊料結(jié)構(gòu)將所述無焊料金 屬芯結(jié)構(gòu)的所述第二部分電學(xué)及機(jī)械地連接到所述第二導(dǎo)電襯墊;
其中所述互連結(jié)構(gòu)包括第三焊料結(jié)構(gòu),其中所述無焊料金屬芯結(jié) 構(gòu)包括第一無焊料金屬芯和第二無焊料金屬芯,其中所述第三焊料結(jié) 構(gòu)使所述第一無焊料金屬芯電學(xué)及機(jī)械地附接到所述第二無焊料金屬 芯,其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)的所述第一部分位于所述第一無焊料 金屬芯上,以及其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)的所述第二部分位于所述 第二無焊料金屬芯上,以及
其中所述第一焊料結(jié)構(gòu)包含第一焊料材料,其中所述第二焊料結(jié) 構(gòu)包含第二焊料材料,并且其中所述第一焊料材料不同于所述第二焊 料材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)具 有圓柱形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)具 有球體形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)包 含選自銅、鎳和金的金屬材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述無焊料金屬芯結(jié)構(gòu)包 括第一金屬結(jié)構(gòu)和覆蓋所述第一金屬結(jié)構(gòu)的整個(gè)外表面并與之直接機(jī) 械接觸的第二金屬結(jié)構(gòu),其中所述整個(gè)外表面完全包圍所述第一金屬 結(jié)構(gòu),以及其中所述第一金屬結(jié)構(gòu)包含第一金屬材料,并且其中所述 第二金屬結(jié)構(gòu)包含不同于第一金屬材料的第二金屬材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述第三焊料結(jié)構(gòu)包含第 三焊料材料,并且其中所述第三焊料材料不同于所述第一焊料材料和 所述第二焊料材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),還包括:
包圍所述第一無焊料金屬芯并與所述第一襯底接觸的第一層底充 密封劑;以及
包圍所述第二無焊料金屬芯并與所述第二襯底接觸的第二層底充 密封劑,其中所述第一層具有第一熱膨脹系數(shù),其中所述第二層具有 第二熱膨脹系數(shù),并且其中所述第一熱膨脹系數(shù)不同于所述第二熱膨 脹系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的電學(xué)結(jié)構(gòu),其中所述第一襯底是半導(dǎo)體器 件,其中所述第二襯底是芯片載體,并且其中所述第一熱膨脹系數(shù)小 于所述第二熱膨脹系數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),還包括:
包含焊料的焊料互連結(jié)構(gòu),其中所述第一襯底包括第三導(dǎo)電襯 墊,其中所述第二襯底包括第四導(dǎo)電襯墊,以及其中所述焊料互連結(jié) 構(gòu)將所述第三導(dǎo)電襯墊電學(xué)及機(jī)械地連接到所述第四導(dǎo)電襯墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的電學(xué)結(jié)構(gòu),還包括:
包圍所述第一無焊料金屬芯并且填充所述第一襯底與所述第二襯 底之間的空間的第一層晶片級底充密封劑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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