[發(fā)明專利]具有間隔器元件的電致發(fā)光器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880010896.4
• 申請(qǐng)日: 2008-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN101652870A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·S·科克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 伊斯曼柯達(dá)公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L51/52
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 范 赤;韋欣華

1.一種電致發(fā)光器件，包括：基材；在基材上形成的一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件，該一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件包括第一和第二間隔電極和在第一和第二電極之間形成的包括量子點(diǎn)的發(fā)光層，其中第一和第二電極的至少一個(gè)是透明的；設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件上并與一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件間隔的面層，在面層和一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件之間形成間隙；和位于面層和一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件之間的間隙中的獨(dú)立形成的間隔器元件，其中該間隔器元件與一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件、面層，或一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件和面層兩者物理接觸。

2.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中發(fā)光層為包括無(wú)機(jī)半導(dǎo)體基質(zhì)內(nèi)的核/殼量子點(diǎn)的多晶無(wú)機(jī)發(fā)光層。

3.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中發(fā)光層為包括有機(jī)半導(dǎo)體基質(zhì)內(nèi)的核/殼量子點(diǎn)的雜化發(fā)光層。

4.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中獨(dú)立形成的間隔器元件是彈性可壓縮的間隔器元件。

5.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中獨(dú)立形成的間隔器元件具有第一平均尺寸，其中該器件進(jìn)一步包括獨(dú)立形成的光散射顆粒，其中該光散射顆粒具有小于第一平均尺寸的第二平均尺寸，并且位于間隙中，與一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件接觸和位于間隔器元件之間。

6.權(quán)利要求5的電致發(fā)光器件，其中光散射顆粒和間隔器元件由共同的分散體沉積。

7.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中第一電極設(shè)置在基材上，發(fā)光層設(shè)置在第一電極上與基材相反的一側(cè)，第二電極為透明電極并設(shè)置在發(fā)光層上與第一電極相反的一側(cè)。

8.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中進(jìn)一步包括位于透明電極上與發(fā)光層相反的一側(cè)上的光散射顆粒。

9.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中至少一個(gè)電極為劃定獨(dú)立控制的、空間分開的發(fā)光區(qū)域的形成圖案的電極。

10.權(quán)利要求9的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件位于發(fā)光區(qū)域中。

11.權(quán)利要求9的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件位于發(fā)光區(qū)域之間。

12.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隙保持在低于一個(gè)大氣壓的壓力下。

13.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隙的光學(xué)指數(shù)低于一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件的任何部件的光學(xué)指數(shù)。

14.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件選自二氧化鈦、聚合物、氧化鋇、鈣和氧化鈣。

15.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件是透明的。

16.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件利用粘合劑固定到面層或一個(gè)或多個(gè)發(fā)光元件上。

17.權(quán)利要求17的電致發(fā)光器件，其中粘合劑是形成圖案的。

18.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件為球形、圓柱形或任意形狀的顆粒。

19.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件具有大于1微米的截面。

20.權(quán)利要求1的電致發(fā)光器件，其中間隔器元件的折射率大于發(fā)光元件的任何部件的折射率。