[發(fā)明專利]液晶裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880010693.5 | 申請日: | 2008-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN101652708A | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 拉謝扎·科米托弗 | 申請(專利權(quán))人: | 拉謝扎·科米托弗 |
| 主分類號: | G02F1/1337 | 分類號: | G02F1/1337;G02F1/139;G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 郭 放 |
| 地址: | 瑞典*** | 國省代碼: | 瑞典;SE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶 裝置 | ||
1.一種液晶裝置,包括:
第一限定襯底和第二限定襯底;
液晶體層,其被設(shè)置于所述襯底之間;
第一電極圖案,其被涂敷于所述第一襯底的內(nèi)表面上;以及
第一取向?qū)樱浔辉O(shè)置成在所述體層的體表面處與所述體層相互作用并被涂敷于所述第一電極圖案上;所述第一電極圖案被設(shè)置以在與所述第一取向?qū)酉噜彽乃鲶w層的第一子容積上產(chǎn)生非均勻的電場,所述電場在其電力線方向和強(qiáng)度方面是非均勻的,所述電場也被產(chǎn)生于所述第一取向?qū)由希?/p>
其特征在于,所述裝置還包括:
極化狀態(tài)的液晶,所述液晶被包含于所述第一子容積中和/或所述第一取向?qū)又校鲆壕У臉O化比(i)所述第一子容積和/或所述第一取向?qū)油獠康摹⒁约?ii)與所述第二襯底相鄰的和/或與設(shè)置于所述第二襯底上的第二取向?qū)酉噜彽牡诙尤莘e外部的所述體層的中的液晶極化更強(qiáng);包含于所述第一子容積中和/或所述第一取向?qū)又械乃鰳O化狀態(tài)的液晶至少部分地利用所述電場和所述極化之間的耦合而被轉(zhuǎn)換,以利用彈性力來實(shí)現(xiàn)所述體層的液晶的轉(zhuǎn)換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置,其中,在所述第二襯底的內(nèi)表面上涂敷有第二電極圖案,以在與所述第二電極圖案相鄰的所述體層的所述第二子容積上也產(chǎn)生非均勻的電場,所述電場在其電力線方向和強(qiáng)度方面是非均勻的,并且在所述第二電極圖案上涂敷有第二取向?qū)印?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置,其中,在所述第一子容積和/或所述取向?qū)又械乃鰳O化比在所述第一子容積和/或所述取向?qū)油獠康乃鲶w層的液晶極化更強(qiáng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置,其中,極化狀態(tài)的所述液晶和所述電場之間的耦合選自由下列所組成的組:鐵電性耦合、反鐵電性耦合、順電性耦合、撓曲電性耦合、及其任意組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶裝置,其中,極化狀態(tài)的所述液晶和所述電場之間的耦合為鐵電性的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶裝置,其中,所述取向?qū)影ū憩F(xiàn)出自發(fā)極化的液晶材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置,其中,所述取向?qū)影ㄊ终鹘液晶材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置,其中,所述表現(xiàn)出自發(fā)極化的液晶材料是能夠鐵電性耦合、反鐵電性耦合和/或順電性耦合于所述電場的液晶聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶裝置,其中,所述子容積包括表現(xiàn)出誘導(dǎo)自發(fā)極化的液晶材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶裝置,其中,在所述第一子容積中的至少一個(gè)表面永久地附著了手征摻雜劑而使得所述手征摻雜劑非均勻地分布在所述體層中,并因此在所述第一子容積中誘導(dǎo)與手征性相關(guān)的一個(gè)或更多個(gè)物理特性的局部增加,從而導(dǎo)致具有在所述表面處最大并在遠(yuǎn)離所述表面的方向上衰減的非均勻分布的自發(fā)極化的出現(xiàn),所述手征摻雜劑在所述液晶體層中是可溶的。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶裝置,其中,極化狀態(tài)的所述液晶和所述電場之間的耦合為撓曲電性的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶裝置,其中,在所述第一子容積中的至少一個(gè)表面永久地附著了摻雜劑而使得所述摻雜劑非均勻地分布在所述體層中,并因此在所述第一子容積中促進(jìn)一個(gè)或更多個(gè)物理特性的局部增加,從而促進(jìn)出現(xiàn)具有在所述表面處最大并在遠(yuǎn)離所述表面的方向上衰減的非均勻分布的撓曲電極化,所述摻雜劑在所述液晶體層中是可溶的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶裝置,其中,所述摻雜劑選自由下列所組成的組:香蕉形、液滴形、液滴-香蕉混合形摻雜劑和其中任意兩種或更多種的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶裝置,其中,極化狀態(tài)的所述液晶和所述電場之間的耦合為撓曲電耦合和介電耦合的組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶裝置,其中,所述液晶體層包括在彈性形變下表現(xiàn)出撓曲電極化的向列液晶材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶裝置,其中,所述第一子容積的液晶的極化是由液晶體層中的展曲和/或彎曲形變誘導(dǎo)的,所述展曲和/或彎曲形變是由具有不同的錨固特性的所述取向?qū)雍?或延伸到所述第一子容積中的突起引起的。
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G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
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