[發明專利]抗硫化芯片電阻器及其制造方法

有效

• 申請號: 200880010666.8
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101681705A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: M·貝爾曼;L·阿赫特曼
• 申請（專利權）人: 威世科技公司
• 主分類號: H01C17/28
• 分類號: H01C17/28
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 鄔少俊;王 英

1.一種抗硫化芯片電阻器，包括：

具有頂表面的絕緣襯底(11)；

設置于所述頂表面上的第一和第二頂部端電極(12)，所述第一和第二 頂部端電極中的每一個包括銀并且易于受硫化影響；

設置于所述絕緣襯底的所述頂表面上的電阻元件(14)，所述電阻元件 位于所述第一和第二頂部端電極之間并且電連接所述第一和第二頂部端電 極，其中，所述電阻元件(14)的第一端與所述第一頂部端電極(12)交 迭，所述電阻元件(14)的第二端與所述第二頂部端電極(12)交迭；

包括覆蓋所述電阻元件(14)的電介質材料并且與所述第一頂部端電 極(12)和所述第二頂部端電極(12)接觸的外保護層(16)；

所述外保護層(16)上的金屬化邊緣，由此允許進行電鍍；

電鍍到所述第一和第二頂部端電極和所述外保護涂層(16)上的所述 金屬化邊緣的鎳層(17)；

其中，所述鎳層(17)與所述第一和第二頂部端電極以及所述外保護 層(16)交迭，密封所述第一和第二頂部端電極(12)，并且保護所述第一 和第二頂部端電極(12)不受硫化影響。

2.根據權利要求1所述的抗硫化芯片電阻器，還包括覆蓋所述電阻元 件(14)的內保護層(15)，并且其中，所述外保護層(16)覆蓋所述內保 護層(15)。

3.根據權利要求2所述的抗硫化芯片電阻器，其中，所述第一和第二 頂部端電極(12)由銀基金屬陶瓷構成。

4.根據權利要求1所述的抗硫化芯片電阻器，其中，所述電阻元件(14) 為厚膜電阻器。

5.根據權利要求1所述的抗硫化芯片電阻器，其中，所述電阻元件(14) 為薄膜電阻器。

6.一種制造抗硫化芯片電阻器的方法，所述方法包括：

在絕緣襯底(11)的頂表面上形成第一和第二頂部端電極(12)；

在所述絕緣襯底(11)的頂表面上形成電阻元件(14)，所述電阻元件 (14)電連接于所述第一和第二頂部端電極(12)之間；

形成外保護層(16)，所述外保護層(16)包括覆蓋所述電阻元件(14) 的電介質材料并且與所述第一頂部端電極(12)和所述第二頂部端電極(12) 接觸；

在所述外保護層(16)上形成金屬化邊緣，由此允許進行電鍍；

將鎳層(17)電鍍到所述第一和第二頂部端電極(12)和所述外保護 層(16)的所述金屬化邊緣上，使得所述鎳層(17)與所述第一和第二頂 部端電極(12)以及所述外保護層(16)交迭，密封所述第一和第二頂部 端電極(12)，并且保護所述第一和第二頂部端電極(12)不受硫化影響。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述金屬化是通過濺射進行的。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括：

形成覆蓋所述電阻元件(14)的內保護層(15)，其中，所述外保護層 (16)覆蓋所述內保護層(15)。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述電阻元件(14)為厚膜電 阻器。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述電阻元件(14)為薄膜 電阻器。