[發明專利]等離子體處理裝置

無效

• 申請號: 200880010390.3
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101647100A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 速水利泰
• 申請（專利權）人: 住友精密工業株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，至少包括：

具有閉塞空間，在內部收納基板的處理腔室；

向所述處理腔室內供給處理氣體的氣體供給機構；

對所述處理腔室內進行減壓的第一排氣機構；

施加高頻電力的電力施加機構；

被所述電力施加機構施加高頻電力，從而使供給至所述處理腔室內的處理氣體等離子體化的等離子體生成機構；

加熱所述處理腔室的加熱機構；

冷卻所述處理腔室的冷卻機構，其包括：具有冷卻流體所流通的冷卻流路，以與所述處理腔室的外表面抵接或者與所述處理腔室的外表面隔開間隔相對的方式設置的金屬制的冷卻部件；向所述冷卻部件的冷卻流路內供給所述冷卻流體的冷卻流體供給機構；和在所述冷卻部件與處理腔室之間以與它們抵接的方式設置的環狀的密封部件；

對所述密封部件的環內進行減壓的第二排氣機構；以及

控制所述氣體供給機構、第一排氣機構、第二排氣機構、電力施加機構、加熱機構和冷卻機構的運行的控制機構，

所述控制機構構成為：控制所述第二排氣機構，使得在沒有利用所述電力施加機構對所述等離子體生成機構施加高頻電力時，所述密封部件的環內被減壓到預先設定的壓力；控制所述第二排氣機構，使得在利用所述電力施加機構對所述等離子體生成機構施加高頻電力時，所述密封部件的環內變為比所述預先設定的壓力高的壓力。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述冷卻流體是水。

3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述預先設定的壓力P(Pa)被設定為滿足以下關系，

P≤3.11×10^-6×T/(g×δ²)

其中，T(K)是空氣的絕對溫度，δ(μm)是空氣的分子直徑(＝3.72×10^-4)，g(μm)是冷卻部件與處理腔室之間的間隔。

4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述冷卻部件與處理腔室之間的間隔被設定為大于0μm且為100μm以下。

5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制機構構成為：控制所述第二排氣機構，使得在利用所述電力施加機構對所述等離子體生成機構施加的高頻電力較大時，所述密封部件的環內的壓力變高；控制所述第二排氣機構，使得在利用所述電力施加機構對所述等離子體生成機構施加的高頻電力較小時，所述密封部件的環內的壓力變低。

6.如權利要求1～5中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還具有檢測所述處理腔室的溫度的溫度檢測機構，

所述控制機構構成為：根據由所述溫度檢測機構檢測出的溫度，控制所述加熱機構的運行，使所述處理腔室的溫度為預先設定的溫度。