[發(fā)明專利]改進熔結密封的玻璃封裝體的方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880010064.2
• 申請日: 2008-02-19
• 公開（公告）號: CN101711438A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設計）人: D·K·查特濟;K·恩古耶
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生;王穎

1.一種氣密封的封裝體，其包括：

包含內表面和外表面的第一板；

包含內表面和外表面的第二板；

設置于第二板內表面上的玻璃料；以及

直接或間接設置在以下兩個內表面中至少一個內表面上的至少一個介電層：(i)至少與玻璃料相對的第一板內表面，以及(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二板內表面，

其中玻璃料受熱后形成抵靠介電層的氣密封。

2.如權利要求1所述的封裝體，其特征在于，所述第一和第二板中的至少一個由選自金屬、合金、陶瓷、玻璃、石英和聚合物的材料形成。

3.如權利要求1所述的封裝體，其特征在于，所述介電層包含氮化硅。

4.如權利要求3所述的封裝體，其特征在于，所述介電層具有以下厚度之一：約10-600nm之間，約100-500nm之間，約200-500nm之間，約10-50nm之間，約400nm。

5.如權利要求3所述的封裝體，其特征在于，所述介電層包括位于氮化硅上的氧化硅層。

6.如權利要求5所述的封裝體，其還包括從氮化硅層到氧化硅層的梯度。

7.如權利要求5所述的封裝體，其特征在于：

氧化硅層的厚度約為10-100nm；以及

氮化硅層的厚度為以下之一：約10-500nm之間，約100-500nm之間，約200-500nm之間，約10-50nm之間，約400nm。

8.如權利要求1所述的封裝體，其特征在于，所述介電層的壓縮應力為以下之一：約0.01-700MPa，約200-500MPa，約400-500MPa，約500MPa。

9.如權利要求1所述的封裝體，其還包括設置在第一板內表面上的一個或多個電子組件。

10.如權利要求9所述的封裝體，其具有以下特征之一：

所述至少一個介電層不覆蓋所述一個或多個電子組件；以及

所述至少一個介電層覆蓋所述一個或多個電子組件，從而減少對電子組件的腐蝕。

11.如權利要求9所述的封裝體，其特征在于，所述一個或多個電子組件包括一個或多個有機發(fā)光器件(OLED)。

12.如權利要求11所述的封裝體，其特征在于：

所述一個或多個OLED包括陽極和陰極；以及

所述至少一個介電層至少部分地覆蓋陽極和陰極中的至少一個，從而減小對電極的腐蝕和損害中的至少一種影響。

13.如權利要求1所述的封裝體，其具有以下特征中的至少一個：

所述介電層覆蓋玻璃料并且直接覆蓋第二板內表面的至少一部分；

所述介電層覆蓋玻璃料并且直接覆蓋第二板的幾乎全部內表面；

所述介電層覆蓋玻璃料并且不覆蓋第二板內表面的顯著部分。

14.如權利要求1所述的封裝體，其具有以下特征之一：

所述至少一個介電層直接或間接設置在第一板和第二板兩者的內表面上；以及

所述至少一個介電層直接或間接設置在第一板和第二板之一的內表面上。

15.一種方法，其包括：

提供第一板和第二板，各板分別包含內表面和外表面；

將玻璃料設置在第二板內表面上；

將至少一個介電層直接或間接設置在以下內表面中的至少一個內表面上：(i)至少與玻璃料相對的第一板內表面，以及(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二板內表面；

使玻璃料與介電層接觸；以及

加熱玻璃料，使之至少部分熔化，形成抵靠介電層的氣密封，從而形成氣密封的封裝體。

16.如權利要求15所述的方法，其還包括在玻璃料接觸介電層之前燒結玻璃料。

17.如權利要求15所述的方法，其特征在于，將介電層設置在第一板內表面上的步驟包括沉積第一層氮化硅并在氮化硅上沉積第二層氧化硅。

18.如權利要求17所述的方法，其還包括從氮化硅層到氧化硅層形成梯度。

19.如權利要求15所述的方法，其還包括在設置介電層之前，在第一板內表面上設置一個或多個電子組件。