[發明專利]自對準的溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 200880010001.7 | 申請日： | 2008-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN101663760A | 公開（公告）日： | 2010-03-03 |
| 發明（設計）人： | 李健;陳國英;凱爾·特里爾 | 申請（專利權）人： | 威世硅尼克斯公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京君伍時代知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人： | 朱登河 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 對準 溝槽 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法，包括：
在半導體基片上沉積第一半導體層，其中所述第一半導體層和所述半導體基片摻有第一種雜質；
在所述第一半導體層的第一部分摻雜第二種雜質；
在所述第一半導體層的第一部分上蝕刻多個柵極溝槽；
在所述多個柵極溝槽的壁上形成第一電介質層；
在所述多個柵極溝槽內沉積第二半導體層；
在所述多個柵極溝槽內的所述第二半導體層上面形成第二電介質層；
通過所述第一電介質層和所述第二電介質層自對準而在所述第一半導體層的第一部分蝕刻凹陷臺面；
在靠近所述凹陷臺面的第一半導體層的第二部分中摻雜第一種雜質；
以下述方式形成多個源極/主體接點墊片：共形地沉積第三電介質層，以及刻蝕所述第三電介質層，沿著靠近所述凹陷臺面的第二電介質層豎直側的所述第三電介質層部分基本上保留住；
在所述源極/主體墊片之間蝕刻多個源極/主體接點溝槽，其中所述源極/主體接點溝槽穿過所述第一半導體層的第二部分；
通過所述源極/主體接點墊片自對準而在靠近所述源極/主體接點溝槽的所述第一半導體層的第三部分中摻雜第二種雜質；以及
在所述源極/主體接點溝槽內沉積第一金屬層。
2.如權利要求1所述的制造溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法，其中所述多個柵極溝槽包括一個第一組溝槽和一個第二組溝槽，第一組溝槽基本上彼此平行，第二組溝槽與第一組溝槽相垂直或相傾斜或相平行。
3.如權利要求1所述的制造溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法，其中所述多個柵極溝槽基本上彼此平行。
4.如權利要求1所述的制造溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法，進一步包括在所述多個柵極溝槽內的第二半導體層上形成硅化物。
5.如權利要求1所述的制造溝槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的方法， 其中在所述多個柵極溝槽內的第二半導體上面形成第二電介質層包括：
沉積所述電介質層；以及
去除多余的電介質，直至所述第一半導體層露出并且所述第二電介質層覆蓋所述多個柵極溝槽內的所述第一半導體層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于威世硅尼克斯公司，未經威世硅尼克斯公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880010001.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
