[發(fā)明專利]顯示器和顯示器制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880009062.1
• 申請日: 2008-09-18
• 公開（公告）號: CN101636691A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發(fā)明（設計）人: 達拉姆·帕爾·高賽因;田中勉;高德真人
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G09F9/30;H01L31/10
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種顯示器，所述顯示器包括以矩陣狀設有多個像素的基板，其 中，所述顯示器還包括：

半導體膜；

第一活性層；

第二活性層，其中，所述第二活性層的光吸收系數(shù)高于所述第一活 性層的光吸收系數(shù)；和

開關元件，

其特征在于

所述半導體膜形成在所述基板的上方，并界定第一元件形成部和第 二元件形成部，所述半導體膜中存在引入的雜質(zhì)；

所述第一元件形成部和所述第二元件形成部中的所述半導體膜被分 離成島狀，且所述第一元件形成部中的所述半導體膜形成所述第一活性 層；

存在于所述第二元件形成部的相當于活性層的那部分中的所述半導 體膜被除去，在所述第二元件形成部的已除去了所述半導體膜的那部分 形成所述第二活性層；

所述開關元件形成在所述基板的上方，包含所述第一活性層；

所述顯示器還包括光傳感器元件，所述光傳感器元件形成在所述基 板的上方并包含所述第二活性層。

2.如權利要求1所述的顯示器，其中，所述第二活性層被形成為比 所述第一活性層厚。

3.如權利要求1或2所述的顯示器，其中，所述第二活性層由與所 述第一活性層不同的材料形成。

4.如權利要求2所述的顯示器，其中，所述第二活性層具有堆疊結 構，所述堆疊結構包括第一層和堆疊在所述第一層上的第二層，所述第 一層的厚度與所述第一活性層的厚度相同。

5.如權利要求4所述的顯示器，其中，所述第二層利用與用于形成 所述第一層的元素相同的元素形成。

6.如權利要求1所述的顯示器，其中，所述基板具有用于布置所述 多個像素的顯示區(qū)域以及與所述顯示區(qū)域鄰接的周邊區(qū)域；

所述第一活性層布置在所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域二者中的至少 所述顯示區(qū)域中；并且

所述第二活性層布置在所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域二者中的至少 一者中。

7.如權利要求1所述的顯示器，其中，所述基板具有用于布置所述 多個像素的顯示區(qū)域以及與所述顯示區(qū)域鄰接的周邊區(qū)域；

所述第一活性層由透明半導體膜形成并布置在所述顯示區(qū)域中；并 且

所述第二活性層由非透明半導體膜形成并布置在所述周邊區(qū)域中。

8.如權利要求1所述的顯示器，其中，在與外部光入射側相對的那 一側，在與所述第二活性層最接近且與所述第二活性層相對布置的電極 的表面上形成有光反射膜。

9.一種顯示器制造方法，其特征在于包括如下步驟：

在以矩陣狀設有多個像素的基板的上形成半導體膜，并界定第一元 件形成部和第二元件形成部，此后將雜質(zhì)引入到所述半導體膜中；

在所述第一元件形成部和所述第二元件形成部中分別將引入有所述 雜質(zhì)的所述半導體膜分離成島狀，從而在所述第一元件形成部中由所述 半導體膜形成第一活性層，并且將存在于所述第二元件形成部的相當于 活性層的那部分中的所述半導體膜除去；以及

在所述第二元件形成部的已除去了所述半導體膜的那部分中形成第 二活性層，并使所述第二活性層的光吸收系數(shù)高于所述第一活性層的光 吸收系數(shù)；

由此，在所述基板上方形成包含所述第一活性層的開關元件和包含 所述第二活性層的光傳感器元件。

10.如權利要求9所述的顯示器制造方法，其中，至少在所述第二 元件形成部的已除去了所述半導體膜的那部分中，通過用于選擇性地形 成膜的選擇性膜形成方法來形成所述第二活性層。