[發明專利]二氫吲哚二氮雜次甲基陽離子用于光學數據記錄的用途

無效

• 申請號: 200880008125.1
• 申請日: 2008-05-07
• 公開（公告）號: CN101632124A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: C·克萊因;J-C·格拉賽特;M·A·溫特爾
• 申請（專利權）人: 科萊恩金融（BVI）有限公司
• 主分類號: G11B7/249
• 分類號: G11B7/249;G11B7/246;G11B7/247;C09B69/04;C09B67/00;C09B23/08;C07D209/04;C07D209/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 劉明海;杜京英

技術領域

本發明涉及特定的五次甲基菁偶氮配合物染料化合物及其作為染料在用于光學數據記錄、優選使用630至670nm波長的激光器進行光學數據記錄的光學層中的用途。

本發明另外涉及一種包含所述染料的光學層且涉及一種能夠使用紅光激光器的輻射來記錄及再現信息的單次寫入多次讀出(WORM)型光學記錄介質，其在光學層中采用該五次甲基菁偶氮配合物型染料。

背景技術

近來，有機染料已在二極管-激光器光學儲存領域中引起了相當大的關注。商業可記錄的壓縮光盤(CD-R)及可記錄的數字通用光盤(DVD-R)可含有基于酞菁、半菁、菁及金屬化偶氮結構的多種染料作為記錄層。這些染料在其各自領域中適合于激光器波長標準。染料介質的其它一般要求為強吸收、高反射率、高記錄敏感性、低熱導率以及光及熱穩定性、儲存持久性及無毒性。

對于工業應用而言，二極管-激光器光學儲存領域中的有機染料必須適合于旋涂工藝以制備薄膜，即它們必須充分可溶于通常應用于旋涂工藝中的有機溶劑中。

單次寫入多次讀出(WORM)型及可擦除型光學記錄介質通過檢測在記錄前后由記錄層的物理變形，通過光學特性的變化以及通過相性能及磁學性能引起的反射率的變化，來再現信息。

具有多至680M字節的儲存容量的可記錄的壓縮光盤(CD-R)為WORM型光學記錄介質的實例。近來，具有最高至4.7G字節的增加的信息儲存容量的數字通用光盤(DVD)及各自的DVD-R已商業化。

DVD-R技術目前采用具有630-670nm波長的紅光二極管激光器作為光源。由此可減小信息坑尺寸及磁道間隔，與CD-R相比使信息存儲容量增加了至多6-8倍。

Blu-光盤(Blu-光盤為由Hitachi?Ltd.、LGElectronics?Inc.、Matsushita?Electric?Industrial?Co.Ltd.、Pioneer?Corporation、Royal?Philips?Electronics、SamsungElectronics?Co.Ltd.、Sharp?Corporation、Sony?Corporation、Thomson?Multimedia研發的標準物)將成為光學記錄技術中的下一個里程碑。其新規格將數據儲存增加直至對于12cm直徑光盤而言每一記錄層27G字節。通過采用405nm波長的藍光二極管激光器(例如通過使用GaN或SHG激光器二極管)，可進一步減小信息坑尺寸及磁道間隔，又使得儲存容量增加一個數量級。

光學數據記錄介質的構造在本領域中為已知的。光學數據記錄介質通常包含基材及記錄層(光學層)。通常，有機聚合物材料的光盤或波形轉換器用作基材。優選基材為聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。基材必須提供高光學品質的平坦且均一的表面。光學層以高光學品質及確定厚度的薄且均一的薄膜形式沉積于其上。最后，反射層，例如銀、金或銅沉積于光學層上。

高級光學數據記錄介質可包含另外的層，例如保護層、粘接層或額外的光學層。

為提供光學層的薄且均一的薄膜，材料通常通過旋涂、真空蒸發、噴涂、輥涂或浸漬來沉積。工業中的優選方法為旋涂以形成約70nm至250nm厚度的光學層。對于旋涂方法中的應用而言，光學層的材料必須高度可溶于有機溶劑中。

對于光學數據記錄領域中的這些應用而言，需要高光堅牢度、高敏感性、高讀出穩定性、在施加中使用的溶劑中的良好溶解性、合適溫度穩定性及合適分解溫度以及其它參數。

EP?1?347?030?A公開了三次甲基菁染料及其作為光吸收劑的用途。

需要用于光學數據記錄介質中、尤其用于DVD-R光學數據記錄介質的光學層中的染料化合物，所述染料化合物滿足當今技術要求。

發明內容

已意外地發現，包含某些陽離子型五次甲基菁衍生物及某些陰離子型偶氮金屬配合物的化合物可用作用于光學數據記錄介質、尤其DVD-R光學數據記錄介質的光學層中的染料化合物。

在下文中，除非另有說明，否則“鹵素”表示F、Cl、Br或I，優選F、Cl或Br，更優選F或Cl，甚至更優選Cl；除非另有說明，否則“鹵離子”表示F-、Cl-、Br-或I-，優選Cl-或I-；“烷基”表示直鏈及支鏈烷基；且“烷氧基”表示直鏈及支鏈烷氧基；除非另有說明，否則任何烷基及環烷基是未被取代的，部分或完全被鹵素取代的。

本發明的主題為式(I)化合物，