[發明專利]寬帶隙半導體器件

無效

• 申請號: 200880005514.9
• 申請日: 2008-02-19
• 公開（公告）號: CN101622689A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 羅伯特·尤金·弗拉姆;霍克·額;布里杰什·維亞斯
• 申請（專利權）人: 朗訊科技公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;C30B29/40;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

1.一種器件，包括：

基底，所述基底具有表面，所述表面上具備晶體支撐結構；和

III-V族晶體，位于所述晶體支撐結構中的一個的單個接觸區域上，其中：

所述接觸區域的面積不大于所述III-V族晶體的表面積的百分之五十，

所述基底表面和所述接觸區域具有相同的晶格形狀，和

所述晶體支撐結構由硅或者藍寶石組成。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述III-V族晶體接觸所述晶體支撐結構中單獨的一個。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述III-V族晶體為接觸多個所述接觸區域的合并層。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述器件被構造為以發光器件、光檢測器件或晶體管器件而運行。

5.根據權利要求1所述的器件，其中，所述基底表面具有(111)取向或(100)取向。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，當所述表面具有所述(111)取向時，所述III-V族晶體具有六角形晶體結構，并且當所述表面具有所述(100)取向時，所述III-V族晶體具有立方晶體結構。

7.一種器件制造方法，包括：

在基底表面上形成晶體支撐結構，其中，所述晶體支撐結構中的每一個具有預定的接觸區域，并且所述基底表面和和所述接觸區域具有相同的晶格形狀；以及

在所述晶體支撐結構中的一個的所述接觸區域上生長III-V族晶體，其中所述接觸區域的面積不大于所述生長的III-V族晶體的表面積的百分之五十。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述晶體支撐結構的步驟包括圖案化并刻蝕所述基底，使得所述晶體支撐結構中的每一個都具有1mm或更小的至少一個橫向尺寸。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述生長所述III-V族晶體的步驟包括：以促進所述III-V族晶體的橫向生長比所述III-V族晶體的垂直生長更快的速率，將所述接觸區域暴露至III族原子和V族原子。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：擴展所述暴露，直到生長在所述晶體支撐結構上的多個所述III-V族晶體熔合以形成合并的III-V族層。