[發明專利]用于包容化學表面處理的方法和設備

無效

• 申請號: 200880004543.3
• 申請日: 2008-01-22
• 公開（公告）號: CN101606230A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 卡特里娜·米哈利欽科;弗里茨·雷德克;埃里克·M·弗里爾;米哈伊爾·科羅利克;約翰·M·德拉里奧斯;邁克·拉維肯
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 吳貴明;李丙林

1.一種使用鄰近頭準備基片表面的方法，包含：

在該基片的表面和該鄰近頭的頭部表面之間施加非牛頓 流體，該非牛頓流體沿著該頭部表面和該基片的表面之間的一 個或多個側面限定容納壁，該非牛頓流體的一個或多個側面在 該頭部表面和該基片的表面之間的該基片上限定處理區域；以 及

通過該鄰近頭向該基片的表面施加牛頓流體，以便該牛 頓流體被從由該非牛頓流體占據的區域趕出，并由于該容納壁 而被保持在該處理區域內，該牛頓流體幫助從該基片的表面除 去一種或多種污染物。

2.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，進一 步包含：

限定該非牛頓流體的該一個或多個側面為該頭部表面和 該基片的表面之間的一對壁，該一對壁限定該處理區域的溝 道，該溝道使得該牛頓流體可以在該溝道中的非牛頓流體之間 流動。

3.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該一個或多個容納壁包括前壁和尾壁，該前壁是由該非牛頓流 體形成的而該尾壁由真空形成的以便該牛頓流體包圍在該非 牛頓流體前壁和真空的該尾壁之間。

4.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，進一 步包含：

限定該非牛頓流體的該一個或多個側面為該頭部表面和 該基片的表面之間的單一壁，該單一壁限定該處理區域，該單 一壁使得該牛頓流體沿遠離該非牛頓流體的一個方向流動。

5.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，進一 步包含：

限定該非牛頓流體的該一個或多個側面為三個壁的組， 該三個壁的組限定具有一個開放側面的處理區域的溝道，該溝 道使得該牛頓流體在該非牛頓流體之間朝該開放側面流動。

6.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，進一 步包含：

限定該非牛頓流體的該一個或多個側面為該頭部表面和 該基片的表面之間的圓，該圓限定該處理區域的溝道，該溝道 使得該牛頓流體在該非牛頓流體之間流動。

7.根據權利要求6所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該圓形成在該基片的邊緣隔斷區域。

8.根據權利要求6所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該圓形成在恰在該基片的邊緣隔斷區域的外側的載具的表面 上，該載具使得該基片可以被裝載和轉移。

9.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 限定該處理區域的該容納壁具有由該被容納的牛頓流體的一 個或多個特性限定的厚度。

10.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該處理區域具有無氧或低氧的環境之一，以便保護在該基片表 面上形成的特征和層。

11.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該非牛頓流體不與該牛頓流體混溶且被限定為泡沫、膠體、凝 膠和乳劑中的一種或多種。

12.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 該非牛頓流體是三態化合物或雙態化合物之一。

13.根據權利要求1所述的使用鄰近頭準備基片表面的方法，其中 根據在該基片表面形成的一個或多個特征或層的類型，該牛頓 流體是酸或堿，且包括氫氟酸(HF)、DIW、檸檬酸、含氨流 體或化學制品和去離子水的混合物。