[發明專利]具有氣體稀釋的離子源的改善效能與延長生命期的技術

有效

• 申請號: 200880002948.3
• 申請日: 2008-01-08
• 公開（公告）號: CN101589449A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 艾力克斯恩德·S·培爾;奎格·R·錢尼
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/08
• 分類號: H01J37/08;H01J37/317;H01J27/00;H01J37/32;H01L21/265
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 臧建明

1.一種用于改善離子注入機中的離子源的效能并延長其生命期的方法，所述方法包含：

將預定量的摻雜氣體釋放至離子源腔室中，其中所述摻雜氣體為含鹵素氣體；以及

將預定量的稀釋氣體釋放至所述離子源腔室中，其中所述稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改善所述離子源的所述效能并延長其所述生命期，其中所述稀釋氣體包含含氙氣體與含氫氣體的混合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜氣體為含氟氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物在進入所述離子源腔室中之前于管道中經預混合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物在進入所述離子源腔室中之前在稀釋氣體源中經預混合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物在所述離子源腔室中經混合。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物包含70％的氙氣以及30％的氫氣。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述稀釋氣體包含所述離子源腔室中的總氣體的10％至40％。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述稀釋氣體包含所述離子源腔室中的所述總氣體的20％，且所述摻雜氣體包含所述離子源腔室中的所述總氣體的80％。

9.一種用于改善離子注入機中的離子源的效能并延長其生命期的裝置，所述裝置包含：

摻雜氣體控制器，其用于將預定量的摻雜氣體自摻雜氣體源釋放至離子源腔室中，其中所述摻雜氣體為含鹵素氣體；以及?

第一稀釋氣體控制器，其用于將預定量的第一稀釋氣體自第一稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室中，其中所述第一稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改善所述離子源的所述效能并延長其所述生命期，且其中所述第一稀釋氣體包含含氙氣體與含氫氣體的混合物。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中所述摻雜氣體為含氟氣體。

11.根據權利要求9所述的裝置，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物在進入所述離子源腔室中之前于所述第一稀釋氣體源中經預混合。

12.根據權利要求9所述的裝置，其中所述含氙氣體與所述含氫氣體的所述混合物包含70％的氙氣以及30％的氫氣。

13.根據權利要求9所述的裝置，其中所述第一稀釋氣體包含所述離子源腔室中的總氣體的10％至40％。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述第一稀釋氣體包含所述離子源腔室中的所述總氣體的20％，且所述摻雜氣體包含所述離子源腔室中的所述總氣體的80％。

15.一種用于改善離子注入機中的離子源的效能并延長其生命期的裝置，所述裝置包含：

摻雜氣體控制器，其用于將預定量的摻雜氣體自摻雜氣體源釋放至離子源腔室中，其中所述摻雜氣體為含鹵素氣體；

第一稀釋氣體控制器，其用于將預定量的第一稀釋氣體自第一稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室中，其中所述第一稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改善所述離子源的所述效能并延長其所述生命期，且其中所述第一稀釋氣體包含含氙氣體；以及

第二稀釋氣體控制器，其用于將預定量的第二稀釋氣體自第二稀釋氣體源釋放至所述離子源腔室中，其中所述第二稀釋氣體稀釋所述摻雜氣體以改善所述離子源的所述效能并延長其所述生命期，且其中所述第?二稀釋氣體包含含氫氣體。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述第一稀釋氣體以及所述第二稀釋氣體在進入所述離子源腔室中之前于管道中經預混合。

17.根據權利要求15所述的裝置，其中所述第一稀釋氣體以及所述第二稀釋氣體在所述離子源腔室中經混合。

18.根據權利要求15所述的裝置，其中所述第一稀釋氣體以及所述第二稀釋氣體形成包含70％的氙氣以及30％的氫氣的稀釋氣體組合。

19.根據權利要求18所述的裝置，其中所述稀釋氣體組合包含所述離子源腔室中的總氣體的10％至40％。