[發明專利]輻照強度分布的測量設備以及測量方法

有效

• 申請號: 200880002943.0
• 申請日: 2008-01-15
• 公開（公告）號: CN101589343A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 羅爾夫·弗賴曼
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT股份公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邱 軍

1.一種用于微光刻的投射曝光工具，該投射曝光工具的光學路徑中設 置有測量設備，該測量設備用于局部及角度解析測量輻照強度分布，所述測 量設備包括：

測量場，其具有聚焦光學元件設置在所述測量場的各個點(x_i，y_j)處 的布置；

所述聚焦光學元件的公共像平面；

局部解析輻射探測器，其具有記錄表面，用于局部解析地記錄輻射強度， 所述記錄表面設置于所述公共像平面中；以及

估計裝置，其被設置以由所述記錄的輻射強度，對于每一單獨的測量場 點(x_i，y_j)建立各自的角度解析的輻照強度分布，從而對于每一測量場點， 在角譜上建立輻照強度。

2.根據權利要求1所述的投射曝光工具，其中該投射曝光工具具有定 位掩模母版的掩模母版平面，所述掩模母版載有結構化光刻掩模，

所述測量設備設置在所述掩模母版平面的區域中。

3.根據權利要求1所述的投射曝光工具，其中該投射曝光工具具有用 于將結構化光刻掩模成像到晶片上的投射物鏡，

所述測量設備設置在所述投射物鏡的光瞳平面的區域中。

4.根據權利要求1所述的投射曝光工具，其中該投射曝光工具具有 REMA物鏡，用于將掩模母版遮掩裝置成像到所述投射曝光工具的掩模母版 平面，

所述測量設備設置在所述REMA物鏡的光瞳平面的區域中。

5.根據權利要求1所述的投射曝光工具，其中該投射曝光工具具有設 置于光圈平面中的掩模母版遮掩裝置，

所述測量設備設置在所述光圈平面的區域中。

6.根據權利要求3至5中任一權利要求所述的投射曝光工具，其特征 在于，所述投射曝光工具具有用于定位掩模母版的掩模母版平面，該掩模母 版載有結構化光刻掩模；以及在所述掩模母版平面的區域中設置另一測量設 備，該另一測量設備具有上述測量設備的特征。

7.根據權利要求2或權利要求4至5中任一權利要求所述的投射曝光 工具，其特征在于，所述投射曝光工具具有用于將結構化光刻掩模成像到晶 片上的投射物鏡；以及在所述投射物鏡的光瞳平面的區域中設置另一測量設 備，該另一測量設備具有上述測量設備的特征。

8.根據權利要求2或3或權利要求5中任一權利要求所述的投射曝光 工具，其特征在于，所述投射曝光工具具有用于將掩模母版遮掩裝置成像到 所述投射曝光工具的掩模母版平面中的REMA物鏡；以及在所述REMA物 鏡的光瞳平面的區域中設置另一測量設備，該另一測量設備具有上述測量設 備的特征。

9.根據權利要求2至4中任一權利要求所述的投射曝光工具，其特征 在于，所述投射曝光工具具有設置于光圈平面中的掩模母版遮掩裝置；以及 在所述光圈平面的區域中設置另一測量設備，該另一測量設備具有上述測量 設備的特征。

10.根據權利要求2至5中任一權利要求所述的投射曝光工具，其特征 在于，所述投射曝光工具具有定位要被光刻曝光的晶片的晶片平面；以及在 所述晶片平面的區域中設置另一測量設備，該另一測量設備具有上述測量設 備的特征。

11.根據權利要求1所述的投射曝光工具，其特征在于，所述投射曝光 工具具有定位要被光刻曝光的晶片的晶片平面；以及所述測量設備設置在所 述晶片平面的區域中。

12.根據權利要求1至5及11中任一所述的投射曝光工具，其特征在 于，所述聚焦光學元件和所述輻射探測器集成在分別的模塊中。

13.根據權利要求1至5及11中任一所述的投射曝光工具，其特征在 于，所述輻射探測器的局部解析度大于各個聚焦光學元件的范圍。

14.根據權利要求1至5及11中任一所述的投射曝光工具，其特征在 于，所述局部解析輻射探測器具有光電裝置.