[發明專利]光盤介質、光盤裝置、光盤記錄再現方法及集成電路無效
| 申請號: | 200880002740.1 | 申請日: | 2008-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN101589434A | 公開(公告)日: | 2009-11-25 |
| 發明(設計)人: | 宮下晴旬;中田浩平;木村直浩 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | G11B20/12 | 分類號: | G11B20/12;G11B7/007 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光盤 介質 裝置 記錄 再現 方法 集成電路 | ||
1、一種光盤,具備包含同心圓狀或螺旋狀的軌道的信息記錄層,
所述光盤具有用于記述被預先記錄在所述軌道上的或者被附加在所述信息記錄層中記錄的數據中的軌道地址的格式,
所述格式,包含有關所述信息記錄層的層信息及有關所述軌道地址的地址信息;
在具有第1記錄密度的第1光盤中,
用第1比特數記述所述第1光盤的層信息,
用第2比特數記述所述第1光盤的地址信息;
在具有比所述第1記錄密度大的第2記錄密度的第2光盤中,
用比所述第1比特數少的比特數確定所述第2光盤的層信息,
用比所述第2比特數多的比特數確定所述第2光盤的地址信息;
所述第2光盤的層信息及所述第2光盤的地址信息的合計比特數,等于所述第1比特數與所述第2比特數之和。
2、如權利要求1所述的光盤,其特征在于:所述光盤,是只讀型;所述數據,用凹凸坑形成。
3、一種再現權利要求1所述光盤的方法,包含:
再現所述層信息的步驟,和
再現所述地址信息的步驟。
4、一種光盤,具備信息記錄層,
在所述信息記錄層中,預先規定有用于記述被預先記錄在軌道上的或者被附加在數據中的軌道地址的格式;
所述信息記錄層,包含存放有關所述信息記錄層的記錄密度的區域;
所述格式,包含有關所述信息記錄層的層信息及有關所述軌道地址的地址信息;所述層信息,用第1比特數記述;所述地址信息,用第2比特數記述;
在有關所述記錄密度的信息超過規定值時,用比所述第1比特數少的比特數記述所述層信息,用比所述第2比特數多的比特數記述所述地址信息,而且所述層信息及所述地址信息的合計比特數,等于所述第1比特數與所述第2比特數之和。
5、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:是使用長度不同的多種標記記錄數據的光盤;
再現所述多種標記中至少某一個標記時的再現信號的頻率即空間頻率,高于OTF截止頻率。
6、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:在向軌道照射的激光的波長為λnm、將激光聚光到軌道上的物鏡的數值孔徑為NA、在軌道上記錄的最短標記長為TMnm、最短間隔長為TSnm時,則(TM+TS)<λ÷(2NA)。
7、如權利要求6所述的光盤,其特征在于:所述最短標記長TM和所述最短間隔長TS相加的長度TM+TS,小于238.2nm。
8、如權利要求6所述的光盤,其特征在于:能記錄按照規定的調制規則調制的多種標記;
使所述調制的基準周期為T時,
所述最短標記長是2T,所述最短間隔長是2T。
9、如權利要求6所述的光盤,其特征在于:能記錄按照規定的調制規則調制的多種標記;
所述規定的調制規則,是1-7調制規則。
10、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:有關所述記錄密度的信息,是表示所述信息記錄層中的記錄容量的信息。
11、如權利要求10所述的光盤,其特征在于:所述規定的值,是25千兆字節。
12、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:有關所述記錄密度的信息,是表示所述信息記錄層中的記錄線密度的信息。
13、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:所述信息記錄層設置的軌道的寬度相同,容許多種記錄密度。
14、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:所述地址信息及所述層信息,利用所述軌道的擺動表示,或者記述在所述記錄的數據的內部;
表示所述層信息比特串,與表示所述地址信息比特串相比,配置在高位。
15、如權利要求4所述的光盤,其特征在于:具備BCA區域及導入區域;在所述導入區域中,包含PIC區域;
在所述BCA區域或所述PIC區域中,記錄有關所述記錄密度的信息。
16、一種再現權利要求15所述光盤的方法,
包含從所述BCA區域或所述PIC區域中,再現有關所述記錄密度的信息的步驟。
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