[發明專利]線圈零件

有效

• 申請號: 200880001458.1
• 申請日: 2008-11-17
• 公開（公告）號: CN101578671A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: 澀谷智則;今西恒次
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01F17/04
• 分類號: H01F17/04;H01F30/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張勁松

技術領域

本發明涉及用于各種電路中的線圈零件。?

背景技術

圖16是現有的線圈零件1的立體圖。圖17和圖18是線圈零件1的剖面圖。線圈零件1具備：繞組部3、密封繞組部3的封裝體2A、與繞組部3電連接的外部端子4A。外部端子4A的一部分在封裝體2A的外側露出。?

在線圈零件1內，通過使電流流過繞組部3而使從繞組部3產生的磁通5，有時因向繞組部3的外側放出而向封裝體2A即線圈零件1的外部泄漏。在高密度地安裝線圈零件1和其它器件的情況下，需要考慮到線圈零件1對其它器件的影響。專利文獻1及專利文獻2公示的現有的可防止磁通的泄漏的線圈零件。?

一般情況下，通過在封裝體2A上使用磁性體，可以降低該影響。為了增大磁性材料的防泄漏效果，通常的做法是，用具有大的導磁率的磁性材料形成封裝體2A，或者提高封裝體2A的尺寸，或者在封裝體2A上附著具有磁屏蔽效應的屏蔽材料6A。?

這些方法中會產生以下的弊端，由具有大的磁導率的磁性體構成的封裝體2A難以成形，并產生封裝體2A的成本上升。即，在為了提高封裝體2A的磁性體密度而使用高壓沖床時，不易使封裝體2A成形。另外，具有含非晶態磁性粉及Ni的高導磁率的磁性體價格昂貴。另外，在增大封裝體2A的尺寸的情況下，將導致因線圈零件1的大型化而引起的器件的安裝密度的降低。在將屏蔽材料6A附著于封裝體2A時，將伴隨有因產生于屏蔽材料6A的渦電流而引起的能量損失及因屏蔽材料6A而引起的部件成本的大幅度上升。?

專利文獻1：(日本)特開2003-168610號公報?

專利文獻2：(日本)特開2004-266120號公報?

發明內容

線圈零件具備：第一線圈和第二線圈、密封第一線圈和第二線圈的封裝體。第一線圈具有：由以第一卷軸為中心卷繞的第一導線構成的第一繞組部、和作為第一導線的兩端的第一端部和第二端部。第二線圈具有：由以與第一線卷軸并列的第二卷軸為中心卷繞的第二導線構成的第二繞組部、和作為第二導線的兩端的第三端部和第四端部。第一線圈的第二端部和第二線圈的第三端部相互連接。第一線圈的第一端部和第二線圈的第四端部在封裝體的外部相連接。?

該線圈零件可降低向封裝體泄漏的磁通量。?

附圖說明

圖1是本發明實施方式1的線圈零件的立體圖；?

圖2是如圖1所示的線圈零件的線2-2的剖面圖；?

圖3是本發明實施方式2的線圈零件的立體圖；?

圖4是如圖3所示的線圈零件的線4-4的剖面圖；?

圖5A是實施方式2中的其它線圈零件的剖面圖；?

圖5B是實施方式2中的其它線圈零件的剖面圖；?

圖5C是實施方式2中的其它線圈零件的剖面圖；?

圖5D是實施方式2中的其它線圈零件的剖面圖；?

圖6是如圖3所示的線圈零件的線6-6的剖面圖；?

圖7表示實施方式2中的線圈零件的漏磁通密度；?

圖8表示實施方式2中的線圈零件的漏磁通密度；?

圖9表示實施方式2中的線圈零件的漏磁通密度；?

圖10表示實施方式2中的線圈零件的漏磁通密度；?

圖11A是實施方式2中的其它線圈零件的分解立體圖；?

圖11B是如圖11A所示的線圈零件的剖面圖；?

圖12表示如圖11A和圖11B所示的線圈零件的漏磁通密度；?

圖13是第實施方式2的其它線圈零件的剖面圖；?

圖14是表示實施方式2的線圈零件的制造方法的剖面圖；?

圖15是表示實施方式2的線圈零件的制造方法的剖面圖；?

圖16是現有的線圈零件的立體圖；?

圖17是現有的線圈零件的第一剖面圖；?

圖18是現有的線圈零件的第二剖面圖。?

標記說明?

8：繞組部(第一繞組部)?

8A：導線(第一導線)?

9：繞組部(第二繞組部)?

9A：導線(第二導線)?

10A：端部(第一端部)?

10B：端部(第二端部)?

11A：端部(第四端部)?

11B：端部(第三端部)?

12：線圈(第一線圈)?

13：線圈(第二線圈)?

14：封裝體?