[發明專利]無線IC器件及無線IC器件用元器件有效
| 申請號: | 200880001101.3 | 申請日: | 2008-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN101558532A | 公開(公告)日: | 2009-10-14 |
| 發明(設計)人: | 加藤登;池本伸郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01Q23/00 | 分類號: | H01Q23/00;B65D33/14;H01Q7/00;G06K19/07;H04B5/02;G06K19/077;H01Q1/36 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無線 ic 器件 元器件 | ||
技術領域
本發明涉及適用于利用電磁波以非接觸方式進行數據通信的RFID(Radio Frequency?Identification:射頻識別)系統中的無線IC器件及無線IC器件用元器 件。
背景技術
近年來,常利用RFID系統以作為物品的管理系統,該RFID系統在產生 感應電磁場的讀寫器和附在物品上的存儲有預定信息的無線IC器件之間進行 非接觸通信,來傳遞信息。
圖1是表示該專利文獻1中示出的、在IC標記用天線上裝有IC標記標簽 的非接觸IC標記(無線IC器件)的例子。圖1(A)是俯視圖,圖1(B)是在(A)的A -A線處的放大剖視圖。非接觸IC標記用天線由分離成兩片的天線圖案91、 92形成。天線圖案91、92由金屬薄膜層構成。
在非接觸IC標記標簽82的標簽基材82b上形成天線101、102,在此之上 安裝IC芯片85。該非接觸IC標記標簽82的天線101、102通過各向異性導電 性粘合劑84進行安裝,使得與天線圖案91、92接觸,來形成非接觸IC標記 90。
在標簽基材82b的面上層疊密封材料薄膜83,以防止IC標記標簽的剝離, 最終構成帶IC標記的包裝體81。
專利文獻1:日本國專利特開2003-243918號公報
對于專利文獻1的非接觸IC標記及設有該標記的包裝體,存在如下問題。
(a)由于是和包裝體利用不同的工序來形成天線圖案,因此需要天線制造 工序,因工序變長且需要額外的構件,所以包裝體的制造成本增加。
(b)為了得到充分的輻射特性,需要增大天線圖案,無法在較小的物品上 安裝IC標記。
(c)由于是在物品的基材上形成IC標記,并利用別的薄膜來覆蓋該形成 面,因此IC標記形成部的厚度變厚。
發明內容
因此,本發明的目的在于解決上述問題,提供一種可減少包裝體的制造成 本、在較小的物品上也可安裝并可抑制標記形成部的厚度的無線IC器件。
為了解決所述問題,本發明的無線IC器件構成如下。
(1)無線IC器件,具有:
高頻器件,該高頻器件是由無線IC和與無線IC導通或進行電磁場耦合并 且與外部電路耦合的饋電電路基板構成的電磁耦合模塊,或是所述無線IC芯 片本身;及
輻射電極,該輻射電極是安裝所述高頻器件并且與該高頻器件耦合的、物 品的一部分,起到作為輻射體的作用。
利用該結構,例如由于無需如圖1所示那樣的用于將天線圖案形成在物品 上的工序或構件,因此幾乎不會因在物品上設置無線IC器件而導致成本上升。
另外,由于能將整個物品或其一部分用作為輻射體,因此即使安裝在較小 的物品上也可得到充分的輻射特性。
另外,由于能夠減小物品的基材上設置高頻器件的部分的厚度,因此能夠 抑制高頻器件部分的隆起,不會有損外觀。
而且,由于通過使用電磁耦合模塊,從而能夠在饋電電路基板內設計無線 IC芯片和輻射電極之間的阻抗匹配,因此無需限定輻射電極的形狀或材質,不 管對于怎樣的物品都能夠適應。
(2)所述輻射電極包含具有預定寬度的導電部,在該導電部的邊緣部具有 缺口部,在該缺口部配置所述高頻器件,并且使高頻器件在導電部的缺口部與 導電部耦合。
利用該結構,能配置高頻器件但不從物品的外形突出,且能將導電部有效 地用作為輻射體。
(3)所述輻射電極包含具有預定寬度的導電部,在該導電部的一部分具有 非導電部,在該非導電部內的端部配置所述高頻器件,并且使高頻器件與非導 電部的周邊的導電部耦合。
利用該結構,能配置高頻器件但不從物品的外形突出,且能將導電部有效 地用作為輻射體。
(4)另外,本發明的無線IC器件在所述高頻器件的安裝部(安裝區域的附 近),具有與所述高頻器件耦合且與所述輻射電極直接電導通的環狀電極,該 環狀電極的環形面朝所述輻射電極的面內方向。
利用該結構,能容易地使高頻器件和環狀電極進行匹配,且因環狀電極與 輻射電極強耦合,所以可力圖實現高增益化。
(5)另外,本發明的無線IC器件在所述高頻器件的安裝部(安裝區域的附 近),具有與所述高頻器件耦合且通過絕緣層與所述輻射電極進行電磁場耦合 的環狀電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所,未經株式會社村田制作所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880001101.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





