[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880000415.1
• 申請日: 2008-02-14
• 公開（公告）號: CN101542715A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 舛岡富士雄;中村廣記
• 申請（專利權(quán)）人: 日本優(yōu)尼山帝斯電子股份有限公司;國立大學(xué)法人東北大學(xué)
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/768;H01L21/82;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇;陳立航

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備將n個CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合電路，其中，n為2以上，該半導(dǎo)體裝置的特征在于，

上述n個CMOS反相器各自具有：

第一導(dǎo)電型溝道的第一MOS晶體管，其具有漏極、柵極、源極被配置在襯底的垂直方向上、且柵極包圍島狀半導(dǎo)體層的構(gòu)造；

與上述第一導(dǎo)電型溝道不同的第二導(dǎo)電型溝道的第二MOS晶體管，其具有漏極、柵極、源極被配置在襯底的垂直方向上、且柵極包圍島狀半導(dǎo)體層的構(gòu)造；

CMOS反相器的輸入端子，其以將上述第一MOS晶體管的柵極與上述第二MOS晶體管的柵極相互連接的方式進行布線；以及

CMOS反相器的輸出端子，其以將上述第一MOS晶體管的漏極擴散層與上述第二MOS晶體管的漏極擴散層在島狀半導(dǎo)體下部層上相互連接的方式進行布線，

其中，上述半導(dǎo)體裝置還具有連結(jié)部，該連結(jié)部用于在對襯底排列上述n個CMOS反相器的各個時，將第n-1個CMOS反相器的輸出端子與第n個CMOS反相器的輸入端子進行連接，與上述第n-1個CMOS反相器的第一MOS晶體管相鄰地配置上述第n個CMOS反相器的第一MOS晶體管，

并且具有被連接在上述第n-1個CMOS反相器的第一MOS晶體管的源極擴散層上的第一電源供給布線、以及被連接在上述第n個CMOS反相器的第一MOS晶體管的源極擴散層上的第一電源供給布線，

該連結(jié)部被配置在襯底與上述第一電源供給布線之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在對于襯底將上述n個CMOS反相器排成一列時，

與上述第n-1個CMOS反相器的第二MOS晶體管相鄰地配置上述第n個CMOS反相器的第二MOS晶體管，

上述半導(dǎo)體裝置具有被連接在上述第n-1個CMOS反相器的第二MOS晶體管的源極擴散層上的第二電源供給布線、以及被連接在上述第n個CMOS反相器的第二MOS晶體管的源極擴散層上的第二電源供給布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

將上述n個CMOS反相器對于襯底配置成一列，將上述配置成一列的n個CMOS反相器對襯底排列m行，其中，m為2以上，

上述半導(dǎo)體裝置具有被連接在各個CMOS反相器的第一MOS晶體管的源極擴散層上的第一電源供給布線；以及

被連接在各個CMOS反相器的第二MOS晶體管的源極擴散層上的第二電源供給布線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一MOS晶體管是p溝道MOS晶體管，上述第二MOS晶體管是n溝道MOS晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一MOS晶體管是n溝道MOS晶體管，上述第二MOS晶體管是p溝道MOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一MOS晶體管是n溝道MOS晶體管，上述第二MOS晶體管是p溝道MOS晶體管，p溝道MOS晶體管的個數(shù)是n溝道MOS晶體管的個數(shù)的2倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一MOS晶體管是p溝道MOS晶體管，上述第二MOS晶體管是n溝道MOS晶體管，p溝道MOS晶體管的個數(shù)是n溝道MOS晶體管的個數(shù)的2倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述n溝道MOS晶體管中：

在柵極的上下方形成絕緣膜層，

在島狀半導(dǎo)體下部層，多晶硅布線包圍漏極擴散層的一部分，

漏極擴散層、多晶硅布線、柵極、源極擴散層具有自對準硅化物化的構(gòu)造，

在源極擴散層上形成金屬布線。

9.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述p溝道MOS晶體管中：

在柵極的上下方形成絕緣膜層，

在島狀半導(dǎo)體下部層，多晶硅布線包圍漏極擴散層的一部分，

漏極擴散層、多晶硅布線、柵極、源極擴散層具有自對準硅化物化的構(gòu)造，

在源極擴散層上形成金屬布線。