[實用新型]一種單晶爐加熱器底盤

無效

• 申請號: 200820302772.0
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN201305649Y
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 何紫平;胥敬東;丁宇翔
• 申請（專利權）人: 湖州新元泰微電子有限公司
• 主分類號: C30B15/18
• 分類號: C30B15/18
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所
• 代理人: 劉 楠;程新敏

技術領域

本實用新型涉及一種加熱器底盤，特別是一種單晶爐加熱器底盤。

背景技術

在半導體生產中硅單晶是最重要的基本材料。其拉晶過程是：把原料多硅晶塊放入石英坩堝中，在單晶爐中加熱融化，再將一根棒狀晶種浸入融液中，融液中的硅原子會順著晶種的硅原子排列，在固液交界面上形成規則的結晶，成為單晶體。把晶種向上提升，融液中的硅原子會在前面形成的單晶體上繼續結晶，并延續其規則的原子排列結構。若整個結晶環境穩定，就可以周而復始的形成結晶，最后形成一根圓柱形的原子排列整齊的硅單晶晶體，即硅單晶錠。

現有單晶爐中加熱融化裝置是依靠兩個電極導電，使原料多硅晶塊融化的，目前由于兩個電極距離較大，一般在680mm左右，功耗較大。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，提供一種單晶爐加熱器底盤，以降低單晶爐的能耗。

本實用新型的技術方案：一種單晶爐加熱器底盤，其特征在于：它包括底盤；底盤上設有兩個電極孔，兩個電極孔的間距為450～470mm。

上述的單晶爐加熱器底盤中，所述的兩個電極孔的間距為460mm。

與現有技術相比，現有的單晶爐加熱器底盤上的兩個電極孔距離較遠，一般為680mm左右，功耗較大。本實用新型將兩個電極孔的距離縮小為460mm左右，可有效降低單晶爐的能耗。在保證生產的情況下，改進后耗費功率可以降低大約10個千瓦。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

附圖中的標記為：1-底盤，2-電極孔

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型的單晶爐加熱器底盤作進一步的詳細說明，但并不作為對本實用新型做任何限制的依據。

本實用新型如圖1所示。本實用新型是對現有單晶爐加熱器底盤的改進，現有單晶爐加熱器底盤上的在兩個電極孔間距為680mm左右，在加熱時功耗較大，本實用新型將底盤1上的兩個電極孔2間距調整為460mm。經使用在保證正常工作的情況下，加熱器的功耗明顯降低。具體制作時兩個電極孔2可對稱設置，即兩個電極孔2中心連線的中點與底盤1的中心重合。