[實用新型]一種超聲電激勵發生器的軟啟動裝置

無效

• 申請號: 200820233804.6
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN201323529Y
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 楊奇;徐永生
• 申請（專利權）人: 襄樊瑜暉電子科技有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐國文

技術領域

本實用新型涉及超聲電激勵發生器軟啟動應用技術，具體地說是涉及一種超聲電激勵發生器的軟啟動裝置。

背景技術

超聲技術是以電子、材料、機械振動、物理等學科為基礎的高新技術之一。目前，超聲波電激勵發生器為了達到高頻、大功率的目的，更多采用Mosfet(MetalOxide?Semicoductor?Field?Effect?Transistor，金屬氧化物半導體場效應管)或IGBT(Isolated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。因此，在電路設計上，一般需將接入電源分供Mosfet或IGBT，另外再將接入電源降壓后形成Mosfet或IGBT的驅動部分。這樣，就會產生過流、過壓等情況，從而導致Mosfet或IGBT的失效甚至損壞。

實用新型內容

為了克服上述缺陷，本實用新型的目的在于給出一種簡單易行、工作可靠、便于調整啟動時間的超聲電激勵發生器軟啟動裝置。

為實現上述目的，本實用新型采用下述技術方案：一種超聲電激勵發生器的軟啟動裝置，包括串接的外接電源和整流電路，其中所述整流電路的前端并聯一降壓器，在外接電源與整流電路之間或整流電路后串聯一軟啟動電阻。

本實用新型的有益效果在于：該軟啟動裝置實現了對需要弱電的元器件和需要高壓或超高壓的元器件同時供電的目的，同時解決了超聲電激勵發生器啟動時對Mosfet或IGBT產生過流、過壓，以致Mosfet或IGBT失效甚至損壞的問題。由于采用軟啟動電阻達到了緩慢平穩升壓的目的、且避免了適用于弱點的元器件被強電擊穿的弊端。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

其中，1-外接電源；2-降壓器；3-整流電路；4-軟啟動電阻。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步闡述。

如圖1所示，該軟啟動裝置包括串接的外接電源1和整流電路3，其特征在于：所述整流電路3的前端并聯一降壓器2，在外接電源1與整流電路3之間串聯一軟啟動電阻4。

該軟啟動裝置的實現過程為：將Mosfet或IGBT等適用于弱電(直流電)的元器件連接至降壓器2的后面，將需要高壓的元器件串接至整流電路的后面。該裝置中的降壓器2和整流電路3均為本領域技術人員所公知的現有技術。

外接電源1通電，電流分為兩個分支分別傳給降壓器2和軟啟動電阻4，降壓器用于降壓，一個分支電流經過降壓器2降壓后，使交流電變成了適用于弱電元器件使用的電壓；軟啟動電阻用于緩慢平穩升壓，軟啟動電阻4對另一分支電流進行了緩慢升壓，使到達整流電路3的電壓是緩慢平穩的升高，而不至于突然升高為該部分元器件無法承受的高壓，同時也避免了元器件被強電擊穿的弊端。軟啟動電阻串聯在整流電路與外接電源之間，不但保護元器件不被強電擊穿，同時對整流電路也起到了保護作用。

也可以根據需要將軟啟動電阻串聯在整流電路的后面。

最后應當說明的是：以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非對其限制，盡管參照上述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解：依然可以對本實用新型的具體實施方式進行修改或者等同替換，而未脫離本實用新型精神和范圍的任何修改或者等同替換，其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍當中。